[发明专利]一种具有双层绝缘层的面板结构及制作方法在审
| 申请号： | 202010474754.6 | 申请日： | 2020-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN111599686A | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 宋爽 | 申请（专利权）人： | 福建华佳彩有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L21/77;H01L29/423;H01L27/12 |
| 代理公司： | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人： | 林祥翔;徐剑兵 |
| 地址： | 351100 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 双层 绝缘 面板 结构 制作方法 | ||
1.一种具有双层绝缘层的面板结构制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
在基板上制作栅极；
制作第一绝缘层；
在栅极区域的第一绝缘层上制作孔，孔的底部为栅极；
制作第二绝缘层；
制作半导体层，半导体层位于第二绝缘层在第一绝缘层上的孔处；
在半导体层上制作源极和漏极。
2.根据权利要求1所述的一种具有双层绝缘层的面板结构制作方法，其特征在于，在基板上制作栅极时，还包括如下步骤：
制作极板一，极板一位于栅极的一侧，极板一作为电容的组成部分；
在制作源极和漏极，源极与漏极连接半导体层时，还包括如下步骤：
制作极板二，极板二位于源极和漏极的一侧，并处于极板一区域的第二绝缘层上，极板二作为电容的组成部分。
3.根据权利要求2所述的一种具有双层绝缘层的面板结构制作方法，其特征在于，第一绝缘层在栅极与极板一之间的上表面为平面或者凹陷面。
4.根据权利要求1或2所述的一种具有双层绝缘层的面板结构制作方法，其特征在于，所述在栅极区域的第一绝缘层上制作孔使用的光罩与所述在半导体层上制作源极和漏极使用的光罩相同，所述光罩使得第一绝缘层的形状与源极和漏极相同。
5.根据权利要求1所述的一种具有双层绝缘层的面板结构制作方法，其特征在于，所述半导体层为IGZO。
6.一种具有双层绝缘层的面板结构，其特征在于，包括：
基板上的一侧设置有栅极；
在栅极上设置有第一绝缘层，位于栅极区域的第一绝缘层上设置有孔，孔的底部为栅极；
在第一绝缘层上设置有第二绝缘层；
在第二绝缘层上设置有半导体层，半导体层位于第二绝缘层在第一绝缘层上的孔处；
在半导体层上设置有源极和漏极。
7.根据权利要求6所述的一种具有双层绝缘层的面板结构，其特征在于，基板上的另一侧设置有极板一，第一绝缘层覆盖极板一，极板一作为电容的组成部分；
在极板一区域的第二绝缘层上设置有极板二，极板二作为电容的组成部分。
8.根据权利要求7所述的一种具有双层绝缘层的面板结构，其特征在于，第一绝缘层在栅极与极板一之间的上表面为平面或者凹陷面。
9.根据权利要求6或7所述的一种具有双层绝缘层的面板结构，其特征在于，第一绝缘层的形状与源极和漏极相同。
10.根据权利要求6所述的一种具有双层绝缘层的面板结构，其特征在于，所述半导体层为IGZO。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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