[发明专利]半导体装置及相关方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

衬底，所述衬底包括：

第一衬底侧，

第二衬底侧，所述第二衬底侧与所述第一衬底侧相对，

衬底外侧壁，所述衬底外侧壁位于所述第一衬底侧与所述第二衬底侧之间，以及

衬底内侧壁，所述衬底内侧壁在所述第一衬底侧与所述第二衬底侧之间界定空腔；

装置堆叠，所述装置堆叠位于所述空腔中并且包括：

第一电子装置；以及

第二电子装置，所述第二电子装置堆叠于所述第一电子装置上；

第一内部互连，所述第一内部互连耦接到所述衬底和所述装置堆叠；

第二内部互连，所述第二内部互连耦接到所述第二电子装置和所述第一电子装置；以及

包封料，所述包封料覆盖所述衬底内侧壁和所述装置堆叠并且填充所述空腔。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

所述装置堆叠的底部从所述包封料暴露。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

所述第二衬底侧与所述包封料的底部和所述装置堆叠的底部共面。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

所述包封料覆盖所述第一衬底侧。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

所述第一电子装置的顶侧低于所述第一衬底侧；并且

所述第二电子装置的顶侧低于所述第一衬底侧。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中：

所述装置堆叠包括堆叠于所述第二电子装置上的第三电子装置；并且

所述第三电子装置的顶侧高于所述第一衬底侧。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

所述装置堆叠包括堆叠于所述第二电子装置上的第三电子装置；

所述第一电子装置的顶侧包括第一装置端子；

所述第二电子装置的顶侧包括第二装置端子；

所述第三电子装置的顶侧包括第三装置端子；

所述第一衬底侧包括第一衬底端子；

所述装置堆叠包括偏移配置，其中：

所述第二电子装置覆盖所述第一电子装置的大部分顶侧，但是使所述第一装置端子暴露；并且

所述第三电子装置覆盖所述第二电子装置的大部分顶侧，但是使所述第二装置端子暴露；

所述第一内部互连耦接到所述第一装置端子中的第一个第一装置端子和所述第一衬底端子；

所述第二内部互连耦接到所述第二装置端子中的第一个第二装置端子和所述第一装置端子中的第二个第一装置端子；并且

第三内部互连耦接到所述第三装置端子中的第一个第三装置端子和所述第二装置端子中的第二个第二装置端子。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

所述包封料覆盖所述衬底外侧壁。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

所述第一内部互连包括耦接到所述衬底的第一端和耦接到所述装置堆叠的第二端；并且

所述第一端的高度高于所述第二端的高度。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

所述装置堆叠包括堆叠于所述第二电子装置上的第三电子装置；

所述第一电子装置的厚度大于所述第二电子装置的厚度；并且

所述第二电子装置的厚度与所述第三电子装置的厚度相同。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其包括：

竖直互连，所述竖直互连耦接到所述第一衬底侧并且由所述包封料定界，

其中所述包封料包括包封料顶侧，所述包封料顶侧具有使所述竖直互连暴露的开口。