[发明专利]非挥发性存储器冗余存储的控制测试电路和控制测试方法

权利要求书

1.一种非挥发性存储器冗余存储的控制测试电路，其特征在于，所述控制测试电路包括模式控制模块、冗余地址载入模块、寄存器组和地址比较器；

所述模式控制模块用于确定所述控制测试电路的工作模式，所述工作模式分为自动载入模式、测试模式、用户工作模式；

所述寄存器组包括n个冗余地址寄存器，每个冗余地址寄存器对应一个有效位标识；

所述地址比较器根据所述控制测试电路的工作模式、外部输入的用户地址及控制信号、所述寄存器组产生存储阵列地址和冗余存储阵列使能信号；

所述冗余地址载入模块在所述控制测试电路的工作模式为自动载入模式时从非挥发性存储器的OTP区域中读出NVM存储阵列的错误行地址、有效位标识和校验位并根据相应的校验算法校验读出的所述校验位是否正确，且当读出的所述校验位校验正确时，所述冗余地址载入模块将所述错误行地址和所述有效位标识存入所述寄存器组并输出载入成功标志；

其中，所述测试模式的测试流程包括如下步骤：

步骤P1，启动测试使能，地址比较器的输入地址为用户地址，所述地址比较器根据所述用户地址、所述控制信号和所述测试使能信号产生测试的存储阵列地址和冗余存储阵列使能信号；

步骤P2，对所述NVM存储阵列进行全片测试，将所述NVM存储阵列的所述错误行地址及所述有效位标识写入所述NVM存储阵列的OTP区域的相应位置；

步骤P3，通过上电复位或开始信号进入自动载入模式；

步骤P4，将所述寄存器组更新为所述NVM存储阵列的所述错误行地址和所述有效位标识，自动载入模式结束时输出载入成功标志；

步骤P5，根据所述载入成功标志和测试使能信号，启动测试模式微调测试结果；

所述用户工作模式的用户工作流程包括如下步骤：

步骤S1，通过上电复位或开始信号进入自动载入模式；

步骤S2，将所述寄存器组更新为所述NVM存储阵列的所述错误行地址和所述有效位标识，自动载入模式结束时输出载入成功标志；

步骤S3，根据所述载入成功标志和所述控制信号，启动用户工作模式；

步骤S4，所述地址比较器根据所述用户地址、所述控制信号和所述寄存器组的值，产生所述存储阵列地址和所述冗余存储阵列使能信号，并自动使用所述冗余存储阵列行替换所述NVM存储阵列中的所述错误行。

2.根据权利要求1所述的非挥发性存储器冗余存储的控制测试电路，其特征在于，所述模式控制模块根据所述载入成功标志、所述控制信号及外部测试模块输出的测试使能信号确定所述控制测试电路处于所述测试模式或所述用户工作模式。

3.根据权利要求1所述的非挥发性存储器冗余存储的控制测试电路，其特征在于，所述自动载入模式通过上电复位或开始使能信号启动。

4.根据权利要求2所述的非挥发性存储器冗余存储的控制测试电路，其特征在于，所述控制测试电路的工作模式为测试模式时，所述地址比较器的输入地址为所述用户地址，其根据所述用户地址、所述控制信号和所述测试使能信号产生测试的存储阵列地址和冗余存储阵列使能信号。

5.根据权利要求2所述的非挥发性存储器冗余存储的控制测试电路，其特征在于，所述控制测试电路的工作模式为用户工作模式时，所述地址比较器的输入地址为所述用户地址，其根据所述用户地址、所述控制信号和所述寄存器组产生相应的存储阵列地址和冗余存储阵列使能信号。

6.根据权利要求1所述的非挥发性存储器冗余存储的控制测试电路，其特征在于，所述控制测试电路的工作模式为自动载入模式时，所述地址比较器的输入地址为所述冗余地址载入模块的载入地址。