[发明专利]非挥发性存储器冗余存储的控制测试电路和控制测试方法

说明书

本发明公开了非挥发性存储器冗余存储的控制测试电路及控制测试方法，包括模式控制模块、冗余地址载入模块、寄存器组和地址比较器；模式控制模块用于确定工作模式；在测试模式下，地址比较器产生测试的存储阵列地址和冗余存储阵列使能信号，对NVM存储阵列进行测试并将错误行地址及有效位标识写入NVM存储阵列的OTP区域中；在自动载入模式下，冗余地址载入模块将错误行地址和有效位标识通过校验读出且当校验通过后存入寄存器组；在用户工作模式下，地址比较器产生存储阵列地址和冗余存储阵列使能信号，并自动利用冗余存储阵列行替换NVM存储阵列中的错误行。本发明将测试模式和用户工作模式下的替换功能融于一体，提高了良率，简化了客户设计及操作。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路设计及测试领域，特别涉及一种非挥发性存储器冗余存储的控制测试电路，本发明还涉及一种非挥发性存储器冗余存储的控制测试方法。

背景技术

非挥发性存储器又称非易失性存储器(NVM)，其存储的信息在电源关掉之后依然能长时间存在，不易丢失。但是，实际使用过程中，NVM存储阵列中往往也会出现个别存储单元不能正常读写的情况，这些无法正常读写的存储单元简称为错误行。目前，传统的冗余存储控制电路需要客户维护错误行的地址，但是电路的端口复杂，因此导致非挥发性存储器的测试及控制比较复杂，芯片的良率低下，且不利于客户的设计及操作。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种非挥发性存储器冗余存储的控制测试电路和控制测试方法，可以解决现有非挥发性存储器冗余存储控制电路端口复杂且需要客户维护错误行地址的问题。

为了解决上述技术问题，本发明提供的非挥发性存储器冗余存储的控制测试电路，所述控制测试电路包括模式控制模块、冗余地址载入模块、寄存器组和地址比较器；

所述模式控制模块用于确定所述控制测试电路的工作模式，所述工作模式分为自动载入模式、测试模式、用户工作模式；

所述寄存器组包括n个冗余地址寄存器，每个冗余地址寄存器对应一个有效位标识；

所述地址比较器根据所述控制测试电路的工作模式、外部输入的用户地址及控制信号、所述寄存器组产生存储阵列地址和冗余存储阵列使能信号；

所述冗余地址载入模块在所述控制测试电路的工作模式为自动载入模式时从非挥发性存储器的OTP区域中读出NVM存储阵列的错误行地址、有效位标识和校验位并校验读出的数据是否正确，且当读出的所述数据校验正确时，所述冗余地址载入模块将所述错误行地址和所述有效位标识存入所述寄存器组并输出载入成功标志。

进一步地，所述模式控制模块根据所述载入成功标志、所述控制信号及外部测试模块输出的测试使能信号确定所述控制测试电路处于所述测试模式或所述用户工作模式。

进一步地，所述自动载入模式通过上电复位或开始使能信号启动。

进一步地，所述控制测试电路的工作模式为测试模式时，所述地址比较器的输入地址为所述用户地址，其根据所述用户地址、所述控制信号和所述测试使能信号产生测试的存储阵列地址和冗余存储阵列使能信号。

进一步地，所述控制测试电路的工作模式为用户工作模式时，所述地址比较器的输入地址为所述用户地址，其根据所述用户地址、所述控制信号和所述寄存器组产生相应的存储阵列地址和冗余存储阵列使能信号。

进一步地，所述控制测试电路的工作模式为自动载入模式时，所述地址比较器的输入地址为所述冗余地址载入模块的载入地址。

为了解决上述技术问题，本发明提供的非挥发性存储器冗余存储的控制测试方法，其中：

在测试模式下，利用地址比较器产生测试的存储阵列地址和冗余存储阵列使能信号，对非挥发性存储器的NVM存储阵列进行测试，并将所述NVM存储阵列中的错误行地址及有效位标识写入所述NVM存储阵列的OTP区域中；