[发明专利]一种聚吡咯复合电磁波吸收材料、制备方法及应用在审
申请号: | 202010476076.7 | 申请日: | 2020-05-29 |
公开(公告)号: | CN111551597A | 公开(公告)日: | 2020-08-18 |
发明(设计)人: | 马明明;杜茹;刘佳 | 申请(专利权)人: | 西安工程大学 |
主分类号: | G01N27/30 | 分类号: | G01N27/30;G01N27/42;G01N27/04;C08K3/04;C08J9/26;C08G73/06;C08F120/14 |
代理公司: | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人: | 韩玙 |
地址: | 710048 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 吡咯 复合 电磁波 吸收 材料 制备 方法 应用 | ||
本发明公开了一种聚吡咯复合电磁波吸收材料,包括石墨棒,石墨棒表面包覆有一层多壁碳纳米层,多壁碳纳米层外表面还包覆有2,4–DMA–MIP/PPy/KHCF印迹聚合物/聚吡咯复合薄膜,石墨棒其中一端缠绕铜丝。本发明还公开了一种聚吡咯复合电磁波吸收材料的制备方法。以及应用聚吡咯复合电磁波吸收材料计算导电聚合物膜材料的荷电量值和电化学阻抗的方法。本发明借助2,4–DMA分子印迹空穴结构,提高材料的电化学性能。
技术领域
本发明属于导电材料制备技术领域,具体涉及一种聚吡咯复合电磁波吸收材料,还涉及聚吡咯复合电磁波吸收材料的制备方法,以及应用聚吡咯复合电磁波吸收材料计算导电聚合物膜材料的荷电量值和电化学阻抗的方法。
背景技术
聚吡咯是一种粒径小、结构性高、空隙多、合成容易(氧化电位低)、电化学活性优、电导率高、介电常数大、环境稳定性好、储存电量能力强的一种常用导电聚合物,因此可用作二次电池、电容器、电子元件、发光二极管、吸波材料。
金属铁氰化物铁氰化钾,因其独特的稳定性、电色效应和强的电催化活性和成本低廉、制备简单等特点,而被应用于电催化、电化学传感器与超级电容器等领域,且至今为止,其在电磁领域的应用依然为空白。
分子印迹聚合物属于多孔性物质,且其与非印迹聚合物相比,其吸附性能均较优异,然而至今为止,这种多孔性聚合物在电磁屏蔽材料和吸波材料还没有进行相关探索与报道。因此,将分子印迹聚合物应用于电磁领域是一个非常有必要的研究方向。
以2,4–二甲基苯胺(2,4–DMA)为模板分子,甲基丙烯酸甲酯为功能单体,采用二次电聚合法在碳纳米管修饰的铅笔芯电极(MWCNT–PEC)表面制备出电磁波阻抗匹配性和衰减性优良、有效吸波频宽被拓宽的复合材料2,4–二甲基苯胺分子印迹聚合物/聚吡咯/铁氰化钾(2,4–DMA–MIP/PPy/KHCF)。
发明内容
本发明的目的是提供一种聚吡咯复合电磁波吸收材料,借助2,4–DMA分子印迹空穴结构,提高材料的电化学性能。
本发明的目的还在于提供一种聚吡咯复合电磁波吸收材料的制备方法。
本发明的目的还在于提供应用聚吡咯复合电磁波吸收材料计算导电聚合物膜材料的荷电量值和电化学阻抗的方法。
本发明所采用的第一技术方案是,一种聚吡咯复合电磁波吸收材料,包括石墨棒,石墨棒表面包覆有一层多壁碳纳米层,多壁碳纳米层外表面还包覆有2,4–DMA–MIP/PPy/KHCF印迹聚合物/聚吡咯复合薄膜,石墨棒其中一端缠绕铜丝。
本发明所采用的第二技术方案是,一种聚吡咯复合电磁波吸收材料的制备方法,具体按照以下步骤实施:
步骤1、制备碳纳米管修饰的石墨电极;
步骤2、在所述碳纳米管修饰的石墨电极表面制备2,4–DMA–MIP–MWCNT–PEC印迹聚合物薄膜电极;
步骤3、在所述2,4–DMA–MIP–MWCNT–PEC印记聚合物薄膜电极表面制备2,4–DMA–MIP/PPy/KHCF复合材料,即得复合电磁波吸收材料。
本发明第二技术方案的特点还在于,
步骤1具体如下:
步骤1.1,提供石墨棒,进行浸泡、晾干后备用;
步骤1.2,将经过步骤1.1处理过的石墨棒先放入多壁碳纳米管水分散液中一段时间,然后取出晾干,再次将石墨棒放入熔融多壁碳纳米管石蜡分散液中,然后取出晾干备用;
步骤1.3,将铜丝打磨后缠绕在所述经过步骤1.2处理后的石墨棒的一端并进行固定,即得碳纳米管修饰的石墨电极。
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