[发明专利]基板处理装置和方法在审
申请号: | 202010476433.X | 申请日: | 2020-05-29 |
公开(公告)号: | CN112017996A | 公开(公告)日: | 2020-12-01 |
发明(设计)人: | 徐同赫;李成龙 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;G01K3/06 |
代理公司: | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人: | 钟锦舜;石宝忠 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
1.一种用于处理基板的装置,所述装置包括:
壳体,其中具有处理空间;
板,其被配置为在所述壳体中支撑所述基板;
加热单元,其具有设置在所述板内部并被配置为加热所述基板的加热线;
主温度传感器,其被配置为直接测量所述板的温度;和
辅助温度传感器,其被配置为测量所述加热线的温度。
2.根据权利要求1所述的装置,还包括:
异常检测单元,其被配置为基于由所述主温度传感器测量的温度和由所述辅助温度传感器测量的温度来检测所述加热线中的异常。
3.根据权利要求2所述的装置,其中,当由所述辅助温度传感器测量的温度对由所述主温度传感器测量的温度的温度变化特性超过预设范围时,所述异常检测单元确定检测到所述加热线中的异常。
4.根据权利要求3所述的装置,其中,当由所述辅助温度传感器测量的温度的平均值超过预设范围时,所述异常检测单元确定检测到所述加热线中的异常。
5.根据权利要求3所述的装置,其中,当由所述辅助温度传感器测量的温度的标准偏差超过预设范围时,所述异常检测单元确定检测到所述加热线中的异常。
6.根据权利要求3所述的装置,其中,所述异常检测单元基于由所述辅助温度传感器测量的温度对由所述主温度传感器测量的温度的温度变化特性,检测所述加热线的变形、所述加热线的绝缘差以及噪声的引入中的至少一个。
7.根据权利要求2所述的装置,其中,所述加热线包括分别位于所述板的多个区域中的多个加热线,
其中,所述主温度传感器包括分别位于所述板的多个区域中的多个温度传感器,并且
其中,所述辅助温度传感器测量位于所述板的多个区域中的多个加热线中的每个的温度。
8.根据权利要求7所述的装置,其中,当在所述板的多个区域中的第一区域中由所述辅助温度传感器测量的温度的平均值与在所述多个区域中的除了所述第一区域之外的其余区域中由所述辅助温度传感器测量的温度的平均值之差大于预设值时,所述异常检测单元确定在所述第一区域中检测到所述加热线中的异常。
9.根据权利要求7所述的装置,其中,当在所述板的多个区域中的第一区域中由所述辅助温度传感器测量的温度的标准偏差与在所述多个区域中的除了所述第一区域之外的其余区域中由所述辅助温度传感器测量的温度的标准偏差之差大于预设值时,所述异常检测单元确定在所述第一区域中检测到所述加热线中的异常。
10.根据权利要求2所述的装置,其中,所述异常检测单元通过在预定的时间段内收集由所述辅助温度传感器测量的温度对由所述主温度传感器测量的温度的温度变化特性来预测所述加热线中的故障。
11.根据权利要求3所述的装置,其中,所述加热单元包括:
加热线;和
电源,其被配置为向所述加热线施加电流;以及
其中,所述辅助温度传感器通过使用流过所述加热线的电流和所述电源的电压来测量所述加热线的温度。
12.一种处理基板的方法,所述方法包括:
直接测量配置为支撑所述基板的板的温度;
测量设置在所述板内部并被配置为加热所述基板的加热线的温度;和
基于所述板的温度和所述加热线的温度来检测所述加热线中的异常。
13.根据权利要求12所述的方法,其中,检测所述加热线中的异常包括:
当所述加热线对所述板的温度的温度变化特性超过预设范围时,确定检测到所述加热线中的异常。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造