[发明专利]一种翘曲片检测方法、装置及设备有效

专利信息
申请号: 202010478530.2 申请日: 2020-05-29
公开(公告)号: CN113739726B 公开(公告)日: 2023-01-13
发明(设计)人: 韩强;张俊 申请(专利权)人: 上海微电子装备(集团)股份有限公司
主分类号: G01B13/24 分类号: G01B13/24
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 孟金喆
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 翘曲片 检测 方法 装置 设备
【说明书】:

发明实施例公开了一种翘曲片检测方法、装置及设备,其中翘曲片检测方法应用于翘曲片检测装置进行检测,其中翘曲片检测装置包括弹性材质的检测头,以及与检测头连通的流量传感器;翘曲片检测方法包括:控制将检测头安装于预对准台上的待检测位置;控制将待检测片放置于预对准台表面,待检测片覆盖检测头;通过流量传感器测量待检测位置的气体流量值;根据气体流量值与翘曲高度值的预设对应关系确定翘曲高度值。本发明实施例提供的技术方案简化了翘曲片检测方法,能够快速准确的获得待检测片的翘曲度,提高了检测装置布局的灵活性,并且降低了检测装置的成本和所占空间。

技术领域

本发明实施例涉及晶圆翘曲的测量领域,尤其涉及一种翘曲片检测方法、装置及设备。

背景技术

硅衬底目前已经在半导体中广泛应用,但是随着半导体技术的不断发展,化合物衬底近期在功率器件、射频器件和半导体发光等方面被发现具备比硅基器件具有优异的特性。这些已导入或正导入量产的化合物衬底,有的衬底翘曲度比较大,比如蓝宝石衬底和GaAs衬底可翘曲近10微米,而GaN衬底翘曲度可达到20微米,SiC衬底可达到25微米。有些衬底的翘曲度可能会超标,从而引起MOCVD或光刻等设备的一系列相关问题。另外,对于光刻设备,当衬底的翘曲度比较大而且硬度较高,工件台吸盘无法将这些衬底吸附变为平整,此时,所需曝光的线条较小的时候,很容易产生被曝光位置的部分离焦、成像质量变差和线宽均匀性不达标等诸多问题。

因此,在进入光刻机内循环曝光之前,设法将翘曲度过大的衬底剔除掉,可以降低光刻返工率和提升产品良率。现有技术中心计算翘曲度算法较复杂,不利于快速准确的获得衬底的翘曲度,检测装置价格较贵并且体积较大,检测装置的检测头固定,降低了布局空间的灵活性,进而影响了光刻机的正常使用。

发明内容

本发明实施例提供了一种翘曲片检测方法、装置及设备,以简化翘曲片检测方法,快速准确的获得待检测片的翘曲度,提高检测装置布局的灵活性,降低检测装置的成本和所占空间。

第一方面,本发明实施例提供了一种翘曲片检测方法,应用翘曲片检测设备进行检测,其中所述翘曲片检测设备包括弹性材质的检测头,以及与所述检测头连通的流量传感器;所述翘曲片检测方法包括:

控制将所述检测头安装于预对准台上的待检测位置;

控制将待检测片放置于所述预对准台表面,所述待检测片覆盖所述检测头;

通过流量传感器测量所述待检测位置的气体流量值;

根据所述气体流量值与翘曲高度值的预设对应关系确定翘曲高度值,其中所述翘曲高度值为在垂直于所述预对准台承载待检测片的表面的方向上所述检测头凸出所述预对准承载待检测片的表面的高度。

可选的,所述根据所述气体流量值与翘曲高度值的预设对应关系确定翘曲高度值包括:

根据所述气体流量值与流量传感器的电压值的第一对应关系确定所述待检测位置的流量传感器的电压值;

利用测校系统的测校得到的所述流量传感器的电压值与所述翘曲高度值的第二对应关系确定待检测位置的翘曲高度值。

可选的,所述利用测校系统的测校得到的所述流量传感器的电压值与所述翘曲高度值的第二对应关系为

h=KV;其中h为所述翘曲高度值,V为所述流量传感器的电压值,K为测校系统的转换系数。

可选的,在控制将所述检测头安装于预对准台上的待检测位置之前,还包括:

控制将已知面型的片体放置于所述预对转台承载所述待检测片的表面,根据所述检测头在垂直于所述预对准台承载待检测片的表面的方向上的高度变化与所述流量传感器的电压数据,对所述转换系数进行校正。

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