[发明专利]一种电沉积金结构的电阻特性分析方法

权利要求书

1.一种电沉积金结构的电阻特性分析方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

提供多个金叉指电极，多个所述金叉指电极的电阻相关参数不同；

利用电化学工作站检测多个所述金叉指电极在不同的频率正弦电压下的阻抗；

根据所述多个金叉指电极在不同频率的正弦电压下的阻抗分析电沉积金结构的电阻特性。

2.根据权利要求1所述的电沉积金结构的电阻特性分析方法，其特征在于，各个所述金叉指电极的电阻相关参数为金叉指电极的高度和所述金叉指电极的表面粗糙度。

3.根据权利要求1所述的电沉积金结构的电阻特性分析方法，其特征在于，所述正弦电压的频率范围为100Hz到500kHz，正弦电压的振幅为5mV，直流偏压为0V。

4.根据权利要求1所述的电沉积金结构的电阻特性分析方法，其特征在于，所述提供多个金叉指电极包括：

提供多个金叉指状种子；

利用电化学沉积法在不同的多个电沉积参数的控制下对所述多个叉指状种子一一对应的进行处理，获得多个金叉指电极。

5.根据权利要求4所述的电沉积金结构的电阻特性分析方法，其特征在于，所述电沉积参数包括电沉积时间、正向脉冲电镀电流和反向刻蚀电流。

6.根据权利要求5所述的电沉积金结构的电阻特性分析方法，其特征在于，各个所述电沉积参数包括的电沉积时间不同；

各个所述电沉积参数包括的正向脉冲电镀电流的大小和脉宽相同；

各个所述电沉积参数包括的反向刻蚀电流的大小和持续时间不同。

7.根据权利要求4所述的电沉积金结构的电阻特性分析方法，其特征在于，所述提供多个金叉指状种子包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成金种子层；

对所述金种子层进行图形化处理，获得金叉指状种子。

8.根据权利要求7所述的电沉积金结构的电阻特性分析方法，其特征在于，所述在所述衬底上形成金种子层包括：

在所述衬底上定义叉指区域；

采用电镀法在所述叉指区域电镀金种子层。

9.根据权利要求8所述的电沉积金结构的电阻特性分析方法，其特征在于，所述电镀液为金的无机盐溶液。

10.根据权利要求8所述的电沉积金结构的电阻特性分析方法，其特征在于，所述电镀液的pH值为6.5-7.5，所述电镀液的温度为25℃～55℃。