[发明专利]一种电沉积金结构的电阻特性分析方法在审

专利信息
申请号: 202010482069.8 申请日: 2020-05-29
公开(公告)号: CN111596135A 公开(公告)日: 2020-08-28
发明(设计)人: 朱效立;刘林韬;牛洁斌;谢常青 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: G01R27/02 分类号: G01R27/02
代理公司: 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 代理人: 王胜利
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 沉积 结构 电阻 特性 分析 方法
【说明书】:

发明公开一种电沉积金结构的电阻特性分析方法,涉及材料检测技术领域,通过利用电化学工作站检测金叉指电极的阻抗,避免了接触式测量中由于电沉积金结构本身的结构不同,以及对电沉积结构测量时的接触面积不同对测量结果的影响。电沉积金结构的电阻特性分析方法包括以下步骤:提供多个金叉指电极,多个所述金叉指电极的电阻相关参数不同;利用电化学工作站检测多个所述金叉指电极在不同的频率正弦电压下的阻抗;根据所述多个金叉指电极在不同频率的正弦电压下的阻抗分析电沉积金结构的电阻特性。

技术领域

本发明涉及材料检测领域,尤其涉及一种电沉积金结构的电阻特性分析方法。

背景技术

电沉积金结构具有优良的电学特性、强抗腐蚀能力、化学和光学特性,被广泛应用于集成电路、生物传感、电子通讯和航空航天等领域。电沉积金结构的电阻特性会直接影响到信号的传输效率,所以电沉积金结构电阻的测量变得尤为重要。

目前,测量电沉积金结构电阻的方法一般采用探针台进行四探针测量。但是,这种方法对电沉积金结构的粗糙度要求极高,并且探针与电沉积金结构的接触面积也会导致测量结果的不稳定,进而影响电沉积金结构电阻的测量结果的准确性。

发明内容

本发明的目的在于提供一种电沉积金结构的电阻特性分析方法,利用电化学工作站对电沉积金结构的电阻特性进行分析,更为准确的表征电沉积金结构的电阻特性。

本发明提供了一种电沉积金结构的电阻特性分析方法,该方法包括以下步骤:

提供多个金叉指电极,多个金叉指电极的电阻相关参数不同;

利用电化学工作站检测多个电沉积金结构在中频正弦电压下的阻抗;

根据多个所述电沉积金结构在中频正弦电压下的阻抗分析电沉积金结构的电阻特性。

可选地,各个金叉指电极的电阻相关参数为金叉指电极的高度和金叉指电极的表面粗糙度。

可选地,正弦电压的频率范围为100Hz到500kHz,正弦电压的振幅为5mV,直流偏压为0V。

可选地,提供多个金叉指电极包括:

提供多个金叉指状种子;

利用电化学沉积法在不同的多个电沉积参数的控制下对多个叉指状种子一一对应的进行处理,获得多个金叉指电极。

可选地,电沉积参数包括电沉积时间、正向脉冲电镀电流和反向刻蚀电流。

可选地,各个电沉积参数包括的电沉积时间不同;

各个电沉积参数包括的正向脉冲电镀电流的大小和脉宽相同;

各个电沉积参数包括的反向刻蚀电流的大小和持续时间不同。

可选地,提供多个金叉指状种子包括:

提供衬底;

在衬底上形成金种子层;

对金种子层进行图形化处理,获得金叉指状种子。

可选地,在所述衬底上形成金种子层包括:

在所述衬底上定义叉指区域;

采用电镀法在叉指区域电镀金种子层。

可选地,电镀液为金的无机盐溶液。

可选地,电镀液的pH值为6.5-7.5,电镀液的温度为25℃~55℃。

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