[发明专利]利用射频辉光放电光谱仪测定金属材料中氦浓度深度分布的方法在审
申请号: | 202010483498.7 | 申请日: | 2020-06-01 |
公开(公告)号: | CN111562253A | 公开(公告)日: | 2020-08-21 |
发明(设计)人: | 王鹏;贺冉;张弘;乔丽 | 申请(专利权)人: | 中国科学院兰州化学物理研究所 |
主分类号: | G01N21/67 | 分类号: | G01N21/67 |
代理公司: | 兰州智和专利代理事务所(普通合伙) 62201 | 代理人: | 张英荷 |
地址: | 730000 甘*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 利用 射频 辉光 放电 光谱仪 测定 金属材料 浓度 深度 分布 方法 | ||
1.利用射频辉光放电光谱仪检测金属材料中氦浓度深度方向分布的方法,包括以下步骤:
(1)通过离子注入机将高能氦离子注入到金属材料中,并以此作为标准样品;
(2)设定射频辉光放电光谱仪工作参数,将标准样品进行深度方向射频辉光放电光谱检测,得到氦元素的电信号-时间曲线;
(3)采用非接触式光学轮廓仪获得溅射坑深度,再根据溅射深度/时间的比值确定溅射速率;
(4)采用SRIM软件模拟中“Quick Calculation of Damage”模式,模拟参数与实验参数一致,计算所得“range”文件中数据进行处理,得到氦浓度-深度曲线;
(5)利用SRIM软件计算模拟结果,调整射频辉光放电光谱检仪上氦元素电信号-浓度标定函数至吻合SRIM模拟结果,得到钨中氦元素浓度深度方向的分布曲线。
2.如权利要求1所述利用射频辉光放电光谱仪检测金属材料中氦浓度深度方向分布的方法,其特征在于:步骤(1)中,注入氦离子能量为400 keV,离子束流密度为1.5×1013 cm-2s-1,注入剂量为2.6×1017 He/cm2。
3.如权利要求1所述利用射频辉光放电光谱仪检测金属材料中氦浓度深度方向分布的方法,其特征在于:步骤(2)中,射频辉光放电光谱仪采用法国Horiba Jobin Yvon公司生产的型号为GD PROFILER 2的仪器;测试时激发方式为射频,阳极尺寸为4mm,腔室压力为500Pa,频率为3000Hz,功率为15W;模块值为6.8V,相值为6.0V。
4.如权利要求1所述利用射频辉光放电光谱仪检测金属材料中氦浓度深度方向分布的方法,其特征在于:步骤(3)中,非接触式光学轮廓仪使用美国KLA-Tencor公司生产的型号为MicroXAM-800的非接触式光学轮廓仪。
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