[发明专利]线切割机的晶向偏差检测方法、粘棒方法和存储介质

权利要求书

1.一种粘棒方法，其特征在于，包括以下步骤：

采用线切割机的晶向偏差检测方法获取所述线切割机的晶向偏差量，所述线切割机的晶向偏差检测方法，包括以下步骤：

获取所述线切割机在最新N次切割后的硅片的晶向偏差检测数据，其中，N为大于等于2的整数，

根据所述N次切割后的硅片的晶向偏差检测数据计算得到所述线切割机的晶向偏差量；

获取晶棒晶向需求参数和工艺晶向需求参数；

根据所述线切割机的晶向偏差量、所述晶棒晶向需求参数和所述工艺晶向需求参数计算得到粘棒控制参数；

根据所述粘棒控制参数控制粘棒机工作。

2.如权利要求1所述的粘棒方法，其特征在于，所述粘棒控制参数包括X轴分量和Y轴分量，所述根据所述线切割机的晶向偏差量、所述晶棒晶向需求参数和所述工艺晶向需求参数计算得到粘棒控制参数，包括：

将所述线切割机的晶向偏差量中的X轴分量、所述晶棒晶向需求参数中的X轴分量和所述工艺晶向需求参数中的X轴分量进行加和，得到所述粘棒控制参数中的X轴分量；

将所述线切割机的晶向偏差量中的Y轴分量、所述晶棒晶向需求参数中的Y轴分量和所述工艺晶向需求参数中的Y轴分量进行加和，得到所述粘棒控制参数中的Y轴分量。

3.如权利要求1所述的粘棒方法，其特征在于，根据所述N次切割后的硅片的晶向偏差检测数据计算得到所述线切割机的晶向偏差量，包括：

将所述N次切割后的硅片的晶向偏差检测数据进行大小排序；

将排序在前的m个晶向偏差检测数据和排序在后的n个晶向偏差检测数据舍弃；

根据剩余的N-m-n个晶向偏差检测数据计算得到所述线切割机的晶向偏差量。

4.如权利要求3所述的粘棒方法，其特征在于，所述线切割机的晶向偏差量为所述剩余的N-m-n个晶向偏差检测数据的平均值。

5.如权利要求1所述的粘棒方法，其特征在于，N的取值范围为20～100。

6.如权利要求1所述的粘棒方法，其特征在于，所述晶向偏差检测数据通过X射线检测得到。

7.如权利要求3所述的粘棒方法，其特征在于，m与n的取值相等，且m/N小于等于30%。

8.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序在被处理器执行时，实现如权利要求1-7中任一项所述的粘棒方法。