[发明专利]线切割机的晶向偏差检测方法、粘棒方法和存储介质

说明书

本发明公开了一种线切割机的晶向偏差检测方法、粘棒方法和存储介质，其中，线切割机的晶向偏差检测方法包括以下步骤：获取线切割机在最新N次切割后的硅片的晶向偏差检测数据，其中，N为大于等于2的整数；根据N次硅片的晶向偏差检测数据计算得到线切割机的晶向偏差量。该线切割机的晶向偏差检测方法，通过选择同一线切割机的多笔数据，并舍弃边缘分布区间的硅片的晶向偏差检测数据，保留中间的晶向偏差检测数据，进行计算得到该线切割机的晶向偏差量，由此能够得到更准确的线切割机的晶向偏差量。

技术领域

本发明涉及晶硅加工技术领域，尤其涉及一种线切割机的晶向偏差检测方法、粘棒方法和存储介质。

背景技术

半导体单晶硅片的主要工序包括晶棒生长、滚圆、粘棒、切割、研磨、抛光、清洗、检测等。单晶硅片的晶向是控制半导体性能的重要指标，单晶硅片的制作过程中，晶棒生长会根据产品需求来决定晶向需求，而粘棒工艺和线切割工艺是影响单晶硅片晶向的两个重要工序。晶棒生长中通过籽晶的晶向和长晶工艺形成晶棒的晶向。粘棒工艺中,透过量测晶棒生长中产生的晶向偏差及产品需求来决定粘接的条件。粘棒工艺及线切割工艺中，由于机台的机构条件会造成额外的晶向偏差。

现有技术中一般会将晶棒生产偏差及产品需求条件作为粘棒条件进行粘接。但由于晶棒的晶向检测和粘棒的条件会存在偏差，且线切割机本身存在一定的偏差，造成切割后的晶向偏差不准。

发明内容

本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的第一个目的在于提出一种线切割机的晶向偏差检测方法，以提高线切割机的晶向偏差的检测精度。

本发明的第二个目的在于提出一种粘棒方法。

本发明的第三个目的在于提出一种计算机可读存储介质。

为达到上述目的，本发明第一方面实施例提出了一种线切割机的晶向偏差检测方法，其包括以下步骤：获取所述线切割机在最新N次切割后的硅片的晶向偏差检测数据，其中，N为大于等于2的整数；根据所述N次硅片的晶向偏差检测数据计算得到所述线切割机的晶向偏差量。

本发明实施例的线切割机的晶向偏差检测方法，通过选择同一线切割机的多笔数据，并舍弃边缘分布区间的晶向偏差检测数据，保留中间的晶向偏差检测数据，进行计算得到该线切割机的晶向偏差量，由此能够得到更准确的线切割机的晶向偏差量。

根据本发明的一个实施例，所述根据所述N次硅片的晶向偏差检测数据计算得到所述线切割机的晶向偏差量，包括：将所述N个晶向偏差检测数据进行大小排序；将排序在前的m个晶向偏差检测数据和排序在后的n个晶向偏差检测数据舍弃；根据剩余的N-m-n个晶向偏差检测数据计算得到所述线切割机的晶向偏差量。

根据本发明的一个实施例，所述线切割机的晶向偏差量为所述剩余的N-m-n个晶向偏差检测数据的平均值。

根据本发明的一个实施例，N的取值范围为20～100。优选大于30。

根据本发明的一个实施例，所述晶向偏差检测数据通过X射线检测得到。

根据本发明的一个实施例，m与n的取值相等，且m/N小于等于30％。

为达到上述目的，本发明第二方面实施例提出了一种粘棒方法，其包括以下步骤：采用上述实施例的线切割机的晶向偏差检测方法获取所述线切割机的晶向偏差量；获取晶棒晶向需求参数和工艺晶向需求参数；根据所述线切割机的晶向偏差量、所述晶棒晶向需求参数和所述工艺晶向需求参数计算得到粘棒控制参数；根据所述粘棒控制参数控制粘棒机工作。

本发明实施例的粘棒方法，通过上述的检测方法，根据同一线切割机的多笔晶向检测数据，得到线切割机的晶向偏差量，并将该晶向偏差量作为用于确定粘棒控制参数的一个参数，并与晶棒晶向需求(客户要求)、工艺晶向需求一起，作为粘棒的参考条件，使得后续的晶向切割更准确，更稳定。