[发明专利]集成电路器件及其形成方法

权利要求书

1.一种形成集成电路器件的方法，包括：

将器件管芯接合至中介层，其中，所述中介层包括从所述中介层的半导体衬底的顶面延伸至所述半导体衬底的所述顶面和底面之间的中间层级的通孔；

实施第一分割工艺以将所述中介层和所述器件管芯锯切成第一封装件；

在载体上方形成第一多个再分布线；

将所述第一封装件放置在所述载体和所述第一多个再分布线上方，其中所述第一封装件通过管芯附接膜附接至所述第一多个再分布线，并且所述器件管芯物理接触所述管芯附接膜；

将所述第一封装件密封在第一密封剂中；

减薄所述中介层的所述第一密封剂和所述半导体衬底，直至露出所述通孔；

形成第二多个再分布线，其中，所述第二多个再分布线中的再分布线与所述通孔接触；以及

将无源器件接合至所述第一多个再分布线。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括，形成与所述第一封装件和所述第一密封剂接触的介电层，其中，所述第二多个再分布线延伸至所述介电层中，并且其中，所述通孔由隔离层环绕，并且所述隔离层与所述介电层和所述再分布线中的一个接触。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括，在将所述器件管芯接合至所述中介层之后，将所述器件管芯密封在第二密封剂中，其中，在所述第一分割工艺中，切穿所述第二密封剂。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述中介层没有有源器件。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，在减薄所述中介层的所述半导体衬底之前，所述半导体衬底的部分与所述通孔重叠，并且在所述减薄中去除所述半导体衬底的所述部分。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述载体上方形成金属杆，其中，将所述金属杆密封在所述第一密封剂中，并且其中，在所述减薄所述第一密封剂之后，露出所述金属杆。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在将所述第一封装件附接到所述载体的情况下实施所述减薄。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括，在形成所述第二多个再分布线之后，实施第二分割工艺以形成第二封装件，其中，所述第一封装件和部分所述第一密封剂以及部分所述第二多个再分布线位于所述第二封装件中。

9.一种形成集成电路器件的方法，包括：

在载体上方形成第一再分布线；

在所述第一再分布线上方形成介电层；

将多个封装件放置在所述介电层上方，其中所述多个封装件包括多个中介层和多个器件管芯，其中所述多个封装件通过管芯附接膜附接至所述第一再分布线上方的所述介电层，并且所述多个器件管芯物理接触所述管芯附接膜；

将所述多个中介层密封在密封剂中，其中，所述多个中介层通过所述密封剂彼此分隔开，其中，所述多个中介层包括延伸至所述多个中介层中的半导体衬底中的通孔；

抛光所述中介层以去除所述半导体衬底的部分，其中，所述通孔的表面露出；

在所述半导体衬底和所述多个中介层的所述通孔上方形成与所述半导体衬底和所述多个中介层的所述通孔接触的第一介电层；

形成延伸至所述第一介电层中以接触所述多个中介层的所述通孔的第二再分布线；以及

切穿所述密封剂以将所述多个中介层分成另外的多个封装件。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，在切穿所述密封剂中，没有切穿所述中介层。

11.根据权利要求9所述的方法，还包括：

接合多个器件管芯，其中，所述多个器件管芯的每个接合至所述多个中介层中的一个，其中，所述密封剂包括与所述多个中介层处于同一层级的第一部分，以及与所述多个器件管芯处于同一层级的第二部分。