[发明专利]集成电路器件及其形成方法

说明书

形成集成电路器件的方法包括将器件管芯接合至中介层。中介层包括从中介层的半导体衬底的顶面延伸至半导体衬底的顶面和底面之间的中间层级的通孔。实施分割工艺以将中介层和器件管芯锯切成封装件。该方法还包括将封装件放置在载体上方，将封装件密封在密封剂中，减薄中介层的密封剂和半导体衬底，直至露出通孔，并且形成再分布线，其中，再分布线中的再分布线与通孔接触。本发明的实施例还涉及集成电路器件。

技术领域

本发明的实施例涉及集成电路器件及其形成方法。

背景技术

在集成电路的封装中，可以将多个管芯接合在中介层晶圆上，该中介层晶圆中包括多个中介层。在管芯的接合之后，可将底部填充物分配至管芯和中介层晶圆之间的间隙中。然后可以实施固化工艺以固化底部填充物。

底部填充物在固化后可能会收缩。因此，固化的底部填充物在管芯和中介层晶圆上施加应力，并且可能导致中介层晶圆具有翘曲。中介层晶圆的翘曲进一步使得后续工艺中的工艺困难。例如，在随后的工艺中(例如，模制、研磨、减薄等)，中介层晶圆需要通过真空固定在卡盘台上，以在其上形成金属线和焊料区域。然而，在中介层晶圆具有翘曲的情况下，可能无法将中介层晶圆固定在卡盘台上。

发明内容

本发明的实施例提供了一种形成集成电路器件的方法，包括：将器件管芯接合至中介层，其中，所述中介层包括从所述中介层的半导体衬底的顶面延伸至所述半导体衬底的所述顶面和底面之间的中间层级的通孔；实施第一分割工艺以将所述中介层和所述器件管芯锯切成第一封装件；将所述第一封装件放置在载体上方；将所述第一封装件密封在第一密封剂中；减薄所述中介层的所述第一密封剂和所述半导体衬底，直至露出所述通孔；以及形成再分布线，其中，所述再分布线中的再分布线与所述通孔接触。

本发明的另一实施例提供了一种形成集成电路器件的方法，包括：将多个中介层密封在密封剂中，其中，所述多个中介层通过所述密封剂彼此分隔开，其中，所述多个中介层包括延伸至所述多个中介层中的半导体衬底中的通孔；抛光所述中介层以去除所述半导体衬底的部分，其中，所述通孔的表面露出；在所述半导体衬底和所述多个中介层的所述通孔上方形成与所述半导体衬底和所述多个中介层的所述通孔接触的第一介电层；形成延伸至所述第一介电层中以接触所述多个中介层的所述通孔的再分布线；以及切穿所述密封剂以将所述多个中介层分成多个封装件。

本发明的又一实施例提供了一种集成电路器件，包括：封装件，包括：器件管芯；中介层，与所述器件管芯接合，其中，所述中介层包括：半导体衬底；以及通孔，穿透所述半导体衬底；第一密封剂，将所述封装件密封在所述第一密封剂中；介电层，与所述半导体衬底和所述第一密封剂接触；以及再分布线，延伸至所述介电层中，其中，所述再分布线中的再分布线与所述通孔接触。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1至图18是根据一些实施例的形成封装件的中间阶段的截面图。

图19至图24是根据一些实施例的形成封装件的中间阶段的截面图。

图25示出了根据一些实施例的封装件的一部分的放大图。

图26示出了根据一些实施例的用于形成封装件的工艺流程。

具体实施方式