[发明专利]刻蚀过程的控制方法、控制装置、存储介质和刻蚀设备在审
| 申请号： | 202010486606.6 | 申请日： | 2020-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN111584356A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 周颖;胡军;刘隆冬;李明;张福涛;刘云飞 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L27/115;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 霍文娟 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刻蚀 过程 控制 方法 装置 存储 介质 设备 | ||
1.一种刻蚀过程的控制方法，其特征在于，包括：
向刻蚀腔体中通入刻蚀气体，以对晶圆进行刻蚀，形成预定结构，所述晶圆吸附在所述刻蚀腔体内的基台上；
消除所述基台和所述晶圆之间的吸附静电，且同时向所述刻蚀腔体中通入清洁气体，所述清洁气体为用于去除所述刻蚀腔体内的至少部分副产物的气体，所述副产物为对所述进行刻蚀的过程产生的。
2.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，向所述刻蚀腔体中通入清洁气体，包括：
确定向所述刻蚀腔体中通入所述清洁气体的总时间为预定时间；
控制向所述刻蚀腔体中通入清洁气体持续所述预定时间。
3.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，在向所述刻蚀腔体中通入清洁气体之后，所述控制方法还包括：
将所述晶圆运送至所述刻蚀腔体外。
4.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述清洁气体包括氧气。
5.根据权利要求2所述的控制方法，其特征在于，所述预定时间在10s～100s之间。
6.一种3D NAND的台阶结构的形成方法，其特征在于，其特征在于，所述形成方法包括：
执行权利要求1至5中任一项所述的控制方法至少两次，形成台阶结构，所述台阶结构包括多个台阶，不同次的所述控制方法形成的台阶的个数相同或者不同。
7.一种刻蚀过程的控制装置，其特征在于，包括：
第一控制单元，用于控制向刻蚀腔体中通入刻蚀气体，以对晶圆进行刻蚀，形成预定结构，所述晶圆吸附在所述刻蚀腔体内的基台上；
第二控制单元，用于控制消除所述基台和所述晶圆之间的吸附静电，且同时向所述刻蚀腔体中通入清洁气体，所述清洁气体为用于去除所述刻蚀腔体内的至少部分副产物的气体，所述副产物为对所述进行刻蚀的过程产生的。
8.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质包括存储的程序，其中，所述程序执行权利要求1至5中任意一项所述的刻蚀过程的控制方法或者权利要求6所述的3D NAND的台阶结构的形成方法。
9.一种处理器，其特征在于，所述处理器用于运行程序，其中，所述程序运行时执行权利要求1至5中任意一项所述的刻蚀过程的控制方法或者权利要求6所述的3D NAND的台阶结构的形成方法。
10.一种刻蚀设备，其特征在于，包括：一个或多个处理器，存储器，显示装置以及一个或多个程序，其中，所述一个或多个程序被存储在所述存储器中，并且被配置为由所述一个或多个处理器执行，所述一个或多个程序包括用于执行权利要求1至5中任意一项所述的刻蚀过程的控制方法或者权利要求6所述的3D NAND的台阶结构的形成方法。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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