[发明专利]刻蚀过程的控制方法、控制装置、存储介质和刻蚀设备

说明书

本申请提供了一种刻蚀过程的控制方法、控制装置、存储介质和刻蚀设备，该方法包括：向刻蚀腔体中通入刻蚀气体，以对晶圆进行刻蚀，形成预定结构，晶圆吸附在刻蚀腔体内的基台上；消除基台和晶圆之间的吸附静电，且同时向刻蚀腔体中通入清洁气体，清洁气体为用于去除刻蚀腔体内的至少部分副产物的气体，副产物为对进行刻蚀的过程产生的。相比现有技术中的方案，该方案中，刻蚀过程仅仅需要两步，从而减少了刻蚀过程的时间，解决了现有技术中的3D NAND闪存中刻蚀形成台阶结构的耗时较长的问题，提高了晶圆的生产效率。

技术领域

本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种刻蚀过程的控制方法、3D NAND的台阶结构的形成方法、控制装置、存储介质、处理器和刻蚀设备。

背景技术

近年来，闪存(Flash Memory)存储器的发展尤为迅速，闪存存储器的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息，其具有集成度高、存取速度快、易擦除以及重写等优点，因此，在微机以及自动化控制等多项领域得到了广泛的应用。

现有技术中的3D NAND闪存中，如图1所示，需要通过干法刻蚀形成台阶结构，由于现在堆叠结构中的结构层的个数较多，因此，一般需要通过多个刻蚀过程形成多个台阶，进而形成台阶结构。目前，在刻蚀腔中进行刻蚀，在每个刻蚀的过程中，一般分为是三个步骤：第一步，先刻蚀腔体中位于基台上的晶圆，以去除部分的堆叠结构，形成预定的台阶；第二步，晶圆和基台解吸附，同时向腔体中输送氩气，以使得氩气吹向基台的吸盘的小孔，以避免刻蚀的副产物落在小孔中；第三步，向腔体中输送清洁气体，以对腔体内部进行清洁。

上述的刻蚀形成台阶结构的过程耗时较长，使得晶圆的生产效率较低。

在背景技术部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的背景技术的理解，因此，背景技术中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。

发明内容

本申请的主要目的在于提供一种刻蚀过程的控制方法、3D NAND的台阶结构的形成方法、控制装置、存储介质、处理器和刻蚀设备，以解决现有技术中的3D NAND闪存中刻蚀形成台阶结构的耗时较长的问题。

根据本发明实施例的一个方面，提供了一种刻蚀过程的控制方法，包括：向刻蚀腔体中通入刻蚀气体，以对晶圆进行刻蚀，形成预定结构，所述晶圆吸附在所述刻蚀腔体内的基台上；消除所述基台和所述晶圆之间的吸附静电，且同时向所述刻蚀腔体中通入清洁气体，所述清洁气体为用于去除所述刻蚀腔体内的至少部分副产物的气体，所述副产物为对所述进行刻蚀的过程产生的。

进一步地，向所述刻蚀腔体中通入清洁气体，以去除所述刻蚀在所述刻蚀腔体内形成的至少部分副产物，且以消除所述基台和所述晶圆之间的吸附静电，包括：确定向所述刻蚀腔体中通入所述清洁气体的总时间为预定时间；控制向所述刻蚀腔体中通入清洁气体持续所述预定时间。

进一步地，在向所述刻蚀腔体中通入清洁气体之后，所述控制方法还包括：将所述晶圆运送至所述刻蚀腔体外。

进一步地，所述清洁气体包括氧气。

进一步地，所述预定时间在10s～100s之间。

根据本发明实施例的另一方面，还提供了一种3D NAND的台阶结构的形成方法，所述形成方法包括：执行权利任一种所述的控制方法至少两次，形成台阶结构，所述台阶结构包括多个台阶，不同次的所述控制方法形成的台阶的个数相同或者不同。

根据本发明实施例的另一方面，还提供了一种刻蚀过程的控制装置，包括：第一控制单元，用于控制向刻蚀腔体中通入刻蚀气体，以对晶圆进行刻蚀，形成预定结构，所述晶圆吸附在所述刻蚀腔体内的基台上；第二控制单元，用于控制消除所述基台和所述晶圆之间的吸附静电，且同时向所述刻蚀腔体中通入清洁气体，所述清洁气体为用于去除所述刻蚀腔体内的至少部分副产物的气体，所述副产物为对所述进行刻蚀的过程产生的。