[发明专利]一种压电薄膜体波谐振器温度传感器在审
申请号: | 202010487835.X | 申请日: | 2020-06-02 |
公开(公告)号: | CN111486984A | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 西安柯莱特信息科技有限公司 |
主分类号: | G01K7/32 | 分类号: | G01K7/32 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 710000 陕西省西安市高新区高*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 压电 薄膜 谐振器 温度传感器 | ||
1.一种压电薄膜体波谐振器温度传感器,其特征在于,包括:压电体、第一电极、第二电极、第一热膨胀部、第二热膨胀部、第一固定部、第二固定部,所述第一电极和所述第二电极设置在所述压电体的同侧,所述第一热膨胀部和所述第二热膨胀部分别设置在所述压电体的两端,所述第一固定部和所述第二固定部分别设置在所述第一热膨胀部和所述第二热膨胀部的外侧;使用时,所述第一热膨胀部和所述第二特膨胀部受热膨胀,改变所述压电体中的应力,导致所述压电体中体波的共振频率改变,通过探测该共振频率实现环境温度的检测。
2.如权利要求1所述的压电薄膜体波谐振器温度传感器,其特征在于:所述第一热膨胀部和所述第二热膨胀部的截面为梯形,所述梯形的上底边宽、下底部短。
3.如权利要求1所述的压电薄膜体波谐振器温度传感器,其特征在于:在所述第一电极和所述第二电极间、所述压电体上设置有凹槽。
4.如权利要求3所述的压电薄膜体波谐振器温度传感器,其特征在于:在所述凹槽内设置热膨胀材料。
5.如权利要求1-4任一项所述的压电薄膜体波谐振器温度传感器,其特征在于:所述压电体的材料为氮化铝、氧化锌、或锆钛酸铅压电陶瓷。
6.如权利要求5所述的压电薄膜体波谐振器温度传感器,其特征在于:所述第一电极和所述第二电极的材料为铝。
7.如权利要求6所述的压电薄膜体波谐振器温度传感器,其特征在于:所述第一热膨胀部和所述第二热膨胀部的材料为热膨胀材料。
8.如权利要求7所述的压电薄膜体波谐振器温度传感器,其特征在于:在所述第一电极和所述第二电极间覆盖吸热材料。
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