[发明专利]一种压电薄膜体波谐振器温度传感器在审

专利信息
申请号: 202010487835.X 申请日: 2020-06-02
公开(公告)号: CN111486984A 公开(公告)日: 2020-08-04
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 西安柯莱特信息科技有限公司
主分类号: G01K7/32 分类号: G01K7/32
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 710000 陕西省西安市高新区高*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 压电 薄膜 谐振器 温度传感器
【说明书】:

发明提供了一种压电薄膜体波谐振器温度传感器,在压电体两端设置第一热膨胀部和第二热膨胀部。在应用时,第一热膨胀部和第二热膨胀部受热膨胀,改变压电体内部应力,从而改变压电体内体波的共振频率,通过探测该共振频率实现温度检测。因为压电体内声波的共振频率对压电体内的应力非常敏感,所以本发明具有温度探测灵敏度高的优点,在温度传感领域具有良好的应用前景。

技术领域

本发明涉及温度传感领域,具体涉及一种压电薄膜体波谐振器温度传感器。

背景技术

温度传感器通常用于测量给定空间的温度信息,将温度转换为其他信号输出。常用的温度传感器有热敏电阻式传感器,热敏电阻式传感器具有结构简单、测量区间大、成本低的优点。但是,热敏电阻式温度传感器的精度不高、灵敏度低。基于光纤的温度传感器精度高、灵敏度高,但是成本高。

发明内容

为解决以上问题,本发明提供了一种压电薄膜体波谐振器温度传感器,该温度传感器包括压电体、第一电极、第二电极、第一热膨胀部、第二热膨胀部、第一固定部、第二固定部,第一电极和第二电极设置在压电体的同侧,第一热膨胀部和第二热膨胀部分别设置在压电体的两端,第一固定部和第二固定部分别设置在第一热膨胀部和第二热膨胀部的外侧;使用时,第一热膨胀部和第二特膨胀部受热膨胀,改变压电体中的应力,导致压电体中体波的共振频率改变,通过探测该共振频率实现环境温度的检测。

更进一步地,第一热膨胀部和第二热膨胀部的截面为梯形,梯形的上底边宽、下底部短。

更进一步地,在第一电极和第二电极间、压电体上设置有凹槽。

更进一步地,在凹槽内设置热膨胀材料。

更进一步地,压电体的材料为氮化铝、氧化锌、或锆钛酸铅压电陶瓷。

更进一步地,第一电极和第二电极的材料为铝。

更进一步地,第一热膨胀部和第二热膨胀部的材料为热膨胀材料。

更进一步地,在第一电极和第二电极间覆盖吸热材料。

本发明的有益效果:本发明提供了一种压电薄膜体波谐振器温度传感器,在压电体两端设置第一热膨胀部和第二热膨胀部。在应用时,第一热膨胀部和第二热膨胀部受热膨胀,改变压电体内部应力,从而改变压电体内体波的共振频率,通过探测该共振频率实现温度检测。因为压电体内声波的共振频率对压电体内的应力非常敏感,所以本发明具有温度探测灵敏度高的优点,在温度传感领域具有良好的应用前景。

以下将结合附图对本发明做进一步详细说明。

附图说明

图1是压电薄膜体波谐振器温度传感器的示意图。

图2是又一种压电薄膜体波谐振器温度传感器的示意图。

图3是再一种压电薄膜体波谐振器温度传感器的示意图。

图中:1、压电体;2、第一电极;3、第二电极;4、第一热膨胀部;5、第二热膨胀部;6、第一固定部;7、第二固定部;8、凹槽。

具体实施方式

为进一步阐述本发明达成预定目的所采取的技术手段及功效,以下结合附图及实施例对本发明的具体实施方式、结构特征及其功效,详细说明如下。

实施例1

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安柯莱特信息科技有限公司,未经西安柯莱特信息科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010487835.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top