[发明专利]半导体基板及其形成方法在审
| 申请号： | 202010488964.0 | 申请日： | 2020-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN113764434A | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 李文中;廖翠芸;焦平海 | 申请（专利权）人： | 合晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/762 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台湾桃园市龙潭*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体基板，其特征在于，包括：
一低阻值基板，具有介于0.0001～1Ohm-cm的一第一阻值；
一高阻值基板，设置于该低阻值基板上，且直接接触该低阻值基板，该高阻值基板具有介于1～10000Ohm-cm的一第二阻值；以及
一外延层，设置于该高阻值基板上。
2.如权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，该低阻值基板为超重掺芯片。
3.如权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，该低阻值基板的材料包括硼、磷、砷、锑或其组合。
4.如权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，该外延层包括氮化镓、磷化镓、砷化镓、磷化铟、磷化铟镓、锑化铟镓或其组合。
5.如权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，该高阻值基板具有介于10nm～10μm的厚度。
6.一种形成半导体基板的方法，其特征在于，包括：
接收一复合基板，该复合基板包括一低阻值基板及一高阻值基板，该高阻值基板设置于该低阻值基板上，其中该低阻值基板具有介于0.0001～1Ohm-cm的一第一阻值，该高阻值基板具有介于1～10000Ohm-cm的一第二阻值；以及
形成一外延层于该高阻值基板上。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，接收该复合基板包括以下步骤：
将该低阻值基板与该高阻值基板接合；以及
薄化该高阻值基板。
8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，该高阻值基板具有介于10nm～10μm的厚度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
