[发明专利]用于形成存储器结构的技术

权利要求书

1.一种方法，其包括：

蚀刻材料堆叠以形成将所述材料堆叠划分成多个区段的多个第一通道，所述材料堆叠包括导电线、第一电极及牺牲材料；

将氧化物材料沉积于所述多个第一通道中的每一者中以形成多个氧化物部分；

蚀刻所述牺牲材料以在所述多个氧化物部分中的两个氧化物部分与所述第一电极之间形成第二通道；

将存储器材料沉积于所述两个氧化物部分及所述第二通道之上，所述存储器材料在所述第二通道中在所述存储器材料与所述第一电极之间产生空隙；及

加热所述存储器材料以导致所述存储器材料至少部分填充所述第二通道中的所述空隙。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

在加热所述存储器材料之后蚀刻所述存储器材料以暴露所述多个氧化物部分的表面。

3.根据权利要求2所述的方法，其中：

蚀刻所述存储器材料会暴露所述多个氧化物部分之间的所述存储器材料的区段。

4.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括：

将第二电极沉积于所述多个氧化物部分的所述表面及所述存储器材料之上，所述第二电极与所述存储器材料耦合；及

将数字线沉积于所述第二电极之上。

5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

在加热所述存储器材料的持续时间的至少一部分期间将压力施加到所述存储器材料。

6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

通过以下操作形成所述材料堆叠：

沉积所述导电线；

将所述第一电极沉积到所述导电线上；及

将所述牺牲材料沉积到所述第一电极上。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述加热所述存储器材料包括执行回流工艺。

8.根据权利要求1所述的方法，其中：

蚀刻所述牺牲材料包括执行湿蚀刻工艺。

9.根据权利要求1所述的方法，其中：

沉积所述存储器材料包括物理气相沉积工艺。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述存储器材料包括二氧化硅材料及硫属化物材料。

11.根据权利要求1所述的方法，其中：

加热所述存储器材料是至少部分基于所述存储器材料的玻璃转变温度。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲材料包括所述材料堆叠的顶层。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲材料包括氮化硅材料。

14.一种设备，其包括：

存储器单元，其通过以下操作形成：

蚀刻材料堆叠以形成将所述材料堆叠划分成多个区段的多个第一通道，所述材料堆叠包括导电线、第一电极及牺牲材料；

将氧化物材料沉积于所述多个第一通道中的每一者中以形成多个氧化物部分；

蚀刻所述牺牲材料以在所述多个氧化物部分中的两个氧化物部分与所述第一电极之间形成第二通道；

将存储器材料沉积于所述两个氧化物部分及所述第二通道之上，所述存储器材料在所述第二通道中在所述存储器材料与所述第一电极之间产生空隙；及

加热所述存储器材料以导致所述存储器材料至少部分填充所述第二通道中的所述空隙。

15.根据权利要求14所述的设备，其中所述存储器单元进一步通过以下操作形成：

在所述加热之后蚀刻所述存储器材料以暴露所述多个氧化物部分的表面。