[发明专利]用于形成存储器结构的技术

说明书

本申请案涉及用于形成存储器结构的技术。形成存储器结构可包含蚀刻包含导电线、第一电极及牺牲材料的材料堆叠以将所述材料堆叠划分成多个区段。过程可进一步包含将氧化物材料沉积于第一数量的通道中的每一者中以形成多种氧化物材料。所述牺牲材料可经蚀刻以在所述多种氧化物材料中的两种氧化物材料之间形成第二通道。存储器材料可经沉积于所述两种氧化物材料及所述第二通道之上，这可在所述第二通道中在所述存储器材料与所述第一电极之间产生空隙。所述存储器材料可经加热以填充所述第二通道中的所述空隙。

交叉参考

本专利申请案主张由戈蒂(Gotti)等人在2019年6月28日申请的第16/456,349号美国专利申请案的优先权，所述美国专利申请案转让给其受让人且以其全文引用的方式明确并入本文中。

技术领域

技术领域涉及用于形成存储器结构的技术。

背景技术

下文大体上涉及包含至少一个存储器装置的系统，且更明确来说，涉及用于形成存储器结构的技术。

存储器装置广泛用于在各种电子装置中存储信息，所述装置例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器及类似物。通过编程存储器装置的不同状态存储信息。举例来说，二进制装置很多时候存储通常由逻辑1或逻辑0标示的两种状态中的一者。在其它装置中，可存储两种以上状态。为了存取所存储的信息，装置的组件可读取或感测存储器装置中的至少一个经存储状态。为了存储信息，装置的组件可写入或编程存储器装置中的状态。

存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)、其它硫属化物存储器技术及其它存储器。存储器装置可为易失性或非易失性的。改进存储器装置大体上可包含增加存储器单元密度、提高读取/写入速度、提高可靠性、增加数据保持、降低功耗或改进制造工艺以及其它计量。可期望用于节省存储器阵列中的空间、增加存储器单元密度或制造存储器阵列的更小存储器单元的经改进解决方案。

发明内容

描述一种方法。所述方法可包含：蚀刻材料堆叠以形成将所述材料堆叠划分成多个区段的多个第一通道，所述材料堆叠包括导电线、第一电极及牺牲材料；将氧化物材料沉积于所述多个第一通道中的每一者中以形成多种氧化物材料；蚀刻所述牺牲材料以在所述多种氧化物材料中的两种氧化物材料与所述第一电极之间形成第二通道；将存储器材料沉积于所述两种氧化物材料及所述第二通道之上，所述存储器材料在所述存储器材料与所述第一电极之间的所述第二通道中产生空隙；及加热所述存储器材料以导致所述存储器材料至少部分填充所述第二通道中的所述空隙。

描述一种设备。所述设备可包含：存储器单元，其通过以下操作形成：蚀刻材料堆叠以形成将所述材料堆叠划分成多个区段的多个第一通道，所述材料堆叠包括导电线、第一电极及牺牲材料；将氧化物材料沉积于所述多个第一通道中的每一者中以形成多种氧化物材料；蚀刻所述牺牲材料以在所述多种氧化物材料中的两种氧化物材料与所述第一电极之间形成第二通道；将存储器材料沉积于所述两种氧化物材料及所述第二通道之上，所述存储器材料在所述存储器材料与所述第一电极之间的所述第二通道中产生空隙；及加热所述存储器材料以导致所述存储器材料至少部分填充所述第二通道中的所述空隙。

描述另一方法。所述方法可包含：形成将堆叠材料划分成多个区段的多个第一间隙，所述材料堆叠包括多个层，所述多个层包含牺牲材料作为所述堆叠材料的顶层；将绝缘材料沉积于所述多个第一间隙中以形成多个绝缘区段；移除所述牺牲材料以在所述多个绝缘区段中的两个绝缘区段与所述堆叠材料的电极材料之间形成第二间隙；沉积接触所述两个绝缘区段且覆盖所述第二间隙的存储器材料，所述存储器材料的底部表面与所述电极材料的顶部表面分离开一距离；及执行回流工艺以导致所述存储器材料的所述底部表面至少部分接触所述第二间隙中的所述电极材料的所述顶部表面。

附图说明