[发明专利]一种低电阻率五氧化二铌热压靶材及其制备方法

说明书

本发明提供了一种低电阻率五氧化二铌热压靶材及其制备方法，属于镀膜材料技术领域。本发明将五氧化二铌粉和铌粉的混合物进行真空预烧结，部分五氧化二铌与铌反应生成一氧化铌和二氧化铌，同时五氧化二铌在真空失氧状态下，生成二氧化铌，得到含一氧化铌的铌的氧化物，然后进行热压烧结，得到较高密度的五氧化二铌热压靶材。本发明所得五氧化二铌热压靶材中含有一氧化铌导体和二氧化铌半导体，有效降低了靶材的电阻率，提高了导电性。

技术领域

本发明涉及镀膜材料技术领域，尤其涉及一种低电阻率五氧化二铌热压靶材及其制备方法。

背景技术

五氧化二铌热压靶材被广泛用于光学溅射镀膜，其良好的光学性能，被大量用于手机和平板电脑的前盖玻璃和后盖玻璃，前盖玻璃镀五氧化二铌作为增透膜使用，增加产品的透过性，后盖玻璃镀五氧化二铌用于调节玻璃颜色，镀不同颜色的彩色后盖。

现有的五氧化二铌靶材主要通过五氧化二铌粉末在真空中热压成型得到，其原理主要是靠五氧化二铌在高真空失氧状态下形成NbO₂半导体，但是该方法制得的靶材电阻率高，导电性不佳，极易在使用过程中产生结瘤，影响薄膜性能。

发明内容

本发明的目的在于提供一种低电阻率五氧化二铌热压靶材及其制备方法，本发明所提供的五氧化二铌热压靶材具有低电阻率的优势，导电性良好。

为了实现上述发明目的，本发明提供以下技术方案：

本发明提供了一种低电阻率五氧化二铌热压靶材的制备方法，包括如下步骤：

将五氧化二铌粉和铌粉混合后，进行真空预烧结，得到含一氧化铌的铌的氧化物；

将所述含一氧化铌的铌的氧化物球磨后，进行热压烧结，得到低电阻率五氧化二铌热压靶材。

优选地，所述五氧化二铌粉和铌粉的质量比为100:1～5。

优选地，所述真空预烧结的温度为1200～1400℃，绝对压力≤0.1Pa，时间为3～8h。

优选地，从室温升温至所述真空预烧结的温度的升温速率为1～8℃/min。

优选地，所述热压烧结的温度为1200～1450℃，压力为130～170t，保温保压时间为5～13h。

优选地，从室温升温至所述热压烧结的温度的升温速率为1～7℃/min，从无压升压至所述热压烧结的压力的升压速率为1～10t/min。

优选地，所述铌粉和五氧化二铌粉的粒径独立地≤0.05mm。

优选地，所述混合包括依次进行的机械振动筛网过筛和混料机混合；所述机械振动筛网过筛为从上到下依次过35目筛网、60目筛网、80目筛网、100目筛网和120目筛网；所述混料机混合的转速为15～30rpm，时间为2～8h。

优选地，所述球磨所用研磨球的球径为5～40mm，球料比为1:1～2，球磨的转速为10～25rpm，球磨的时间为1～6h。

本发明还提供了上述技术方案所述的制备方法所得低电阻率五氧化二铌热压靶材，其组分包括一氧化铌和二氧化铌。

本发明提供了一种低电阻率五氧化二铌热压靶材的制备方法，将五氧化二铌粉和铌粉的混合物进行真空预烧结，部分五氧化二铌与铌反应生成一氧化铌和二氧化铌，同时五氧化二铌在真空失氧状态下，生成二氧化铌，得到含一氧化铌的铌的氧化物，然后进行热压烧结，得到较高密度的五氧化二铌热压靶材。本发明所得五氧化二铌热压靶材中含有一氧化铌导体和二氧化铌半导体，有效降低了靶材的电阻率，提高了导电性。

具体实施方式

本发明提供了一种低电阻率五氧化二铌热压靶材的制备方法，包括如下步骤：