[发明专利]带有测试磁体的传感器装置及所属的方法在审

专利信息
申请号: 202010493875.5 申请日: 2020-06-03
公开(公告)号: CN112050836A 公开(公告)日: 2020-12-08
发明(设计)人: D·哈默施密特 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: G01D5/14 分类号: G01D5/14
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 黄倩
地址: 德国诺伊*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 带有 测试 磁体 传感器 装置 所属 方法
【权利要求书】:

1.一种传感器装置,包括:

至少一个测试磁体,被设计为提供测试磁场;

第一传感器元件,被设计为检测磁场并且提供第一传感器信号,其中所述第一传感器信号包括基于所述测试磁场的第一信号贡献;

第二传感器元件,被设计为检测磁场并且提供第二传感器信号,其中所述第二传感器信号包括基于所述测试磁场的第二信号贡献;

其中所述第一传感器元件的位置处的测试磁场不同于所述第二传感器元件的位置处的测试磁场。

2.根据权利要求1所述的传感器装置,还包括:

评估单元,被设计为从所述第一传感器信号和所述第二传感器信号形成比较值,并且检验所述比较值是否在预设的值范围内,其中所述值范围基于所述测试磁场。

3.根据权利要求2所述的传感器装置,其中所述评估单元被设计为:在所述比较值在所述预设的值范围之外的情况下,指示所述第一传感器元件或所述第二传感器元件中至少一个传感器元件的不可靠运行。

4.根据前述权利要求中任一项所述的传感器装置,其中所述第一传感器元件和所述第二传感器元件分别被设计为检测磁场的绝对磁场强度。

5.根据前述权利要求中任一项所述的传感器装置,其中所述第一传感器元件和所述第二传感器元件在相同的第一磁场方向上或在相同的第一磁场平面中是灵敏的。

6.根据权利要求5所述的传感器装置,其中所述测试磁场在所述第一传感器元件的位置处在第一灵敏方向上或在第一灵敏平面中具有第一磁场强度,并且所述测试磁场在所述第二传感器元件的位置处在所述第一灵敏方向上或在所述第一灵敏平面中具有第二磁场强度,其中所述第一磁场强度与所述第二磁场强度彼此不同。

7.根据权利要求6所述的传感器装置,其中所述第一磁场强度与所述第二磁场强度具有相同的绝对值和不同的符号。

8.根据权利要求6或7所述的传感器装置,其中所述评估单元被设计为从所述第一磁场强度与所述第二磁场强度形成数值差,并且检验所述数值差是否在区间[a·Btest-ε;a·Btest+ε]中,其中Btest是所述第一磁场强度的绝对值和所述第二磁场强度的绝对值,其中ε是预设的公差值,其中a是在0至2的范围中的缩放系数,其中从所述至少一个测试磁体相对于所述第一传感器元件和所述第二传感器元件的位置得出a。

9.根据前述权利要求中任一项所述的传感器装置,还包括:

封装材料,其中所述第一传感器元件和所述第二传感器元件至少部分地被所述封装材料封装。

10.根据权利要求9所述的传感器装置,其中所述封装材料至少部分地被磁化,并且形成所述至少一个测试磁体的至少一部分。

11.根据前述权利要求中任一项所述的传感器装置,其中所述至少一个测试磁体包括至少一个永磁体。

12.根据前述权利要求中任一项所述的传感器装置,其中所述至少一个测试磁体包括第一测试磁体和第二测试磁体,其中所述第一测试磁体被布置在所述第一传感器元件旁边,并且所述第二测试磁体被布置在所述第二传感器元件旁边。

13.根据前述权利要求中任一项所述的传感器装置,其中所述第一传感器元件和所述第二传感器元件具有基本上相同的传感器特性。

14.根据权利要求2至13中任一项所述的传感器装置,其中所述评估单元被设计为对于预设的值范围进行温度补偿,使得尽可能地校正所述第一传感器元件的温度依赖性、所述第二传感器元件的温度依赖性和所述至少一个测试磁体的磁特性的温度依赖性。

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