[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202010494744.9 | 申请日: | 2020-06-03 |
公开(公告)号: | CN112086481A | 公开(公告)日: | 2020-12-15 |
发明(设计)人: | 白炅旼;朴弘植;李周炫;金载运 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艳;冯志云 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,其中,所述显示装置包括:
基底,包括显示区域以及在所述显示区域外部的外围区域;
多个显示元件,布置在所述显示区域中;以及
焊盘,设置在所述外围区域中并且具有多层结构,
其中所述焊盘的所述多层结构包括:
金属层;
在所述金属层的顶表面上的导电保护层;以及
在所述导电保护层的顶表面上的金属薄膜。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中
所述导电保护层包括透明导电氧化物。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中
所述多层结构的侧表面具有正锥形倾斜表面。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中
所述金属层和所述金属薄膜中的每一个包括Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo和Cu中的至少一个。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中
所述金属层的厚度大于所述导电保护层的厚度,并且
所述金属层的所述厚度大于所述金属薄膜的厚度。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其中
所述金属薄膜的厚度是或更小。
7.根据权利要求1所述的显示装置,其中
所述金属薄膜包括:
金属子层,包括金属元素;以及
金属氧化物子层,在所述金属子层上并且包括所述金属子层的所述金属元素的氧化物。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述显示装置进一步包括:
绝缘层,覆盖所述焊盘的所述多层结构的边缘,
其中限定了穿过所述绝缘层以与所述焊盘的所述多层结构重叠的孔。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其中
所述绝缘层包括无机绝缘层和有机绝缘层;以及
所述绝缘层的所述孔包括:
第一孔,被限定为穿过所述无机绝缘层以与所述焊盘的所述多层结构重叠;以及
第二孔,被限定为穿过所述有机绝缘层以与所述焊盘的所述多层结构以及所述第一孔重叠。
10.根据权利要求8所述的显示装置,其中
限定了穿过所述多层结构的所述金属薄膜以与所述绝缘层的所述孔重叠的第三孔。
11.根据权利要求10所述的显示装置,其中
所述金属薄膜包括:
金属子层,包括第一金属元素;以及
金属氧化物子层,在所述金属子层的顶表面上并且包括所述金属子层的所述第一金属元素的氧化物。
12.根据权利要求1所述的显示装置,其中
所述焊盘的所述多层结构进一步包括:
在所述金属层的底表面上的底部金属层。
13.一种显示装置,其中,所述显示装置包括:
基底,包括显示区域以及在所述显示区域外部的外围区域;
显示元件,在所述显示区域中;
像素电路,包括薄膜晶体管和存储电容器,其中所述薄膜晶体管和所述存储电容器电连接到所述显示元件;以及
焊盘,在所述外围区域中并且具有正锥形侧表面,
其中所述焊盘具有多层结构,并且
所述焊盘的所述多层结构包括:
导电层,包括透明导电氧化物;以及
金属薄膜,在所述导电层的顶表面上。
14.根据权利要求13所述的显示装置,其中
所述金属薄膜包括Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo和Cu中的至少一个。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的