[发明专利]一种逸出功的测量方法及装置

权利要求书

1.一种逸出功的测量方法，其特征在于，包括：

分别获取波长为λ1、λ2……λn的同类单色光的光子数Np1、Np2……Npn；

分别获取波长为λ1、λ2……λn的同类单色光作用于待测样品上后产生的光电子数Ne1、Ne2……Nen；

根据所述光子数Np1、Np2……Npn以及所述光电子数Ne1、Ne2……Nen，获得所述待测样品的材料的逸出功；

其中，n≥3，且n为正整数；

根据所述光子数Np1、Np2……Npn以及所述光电子数Ne1、Ne2……Nen，获得所述待测样品的材料的逸出功包括：

根据公式：Wi＝Nei/Npi,获得波长为λi的单色光的光电子产率Wi；

根据波长为λ1、λ2……λn的单色光的光电子产率W1、W2……Wn,获得所述待测样品的材料的逸出功；

其中，1≤i≤n，且i为正整数；

根据波长为λ1、λ2……λn的单色光的光电子产率W1、W2……Wn,获得所述待测样品的材料的逸出功包括：

根据公式：Ei＝hc/λi，计算波长为λi的单色光的光能量Ei；

根据波长为λ1、λ2……λn的单色光的光电子产率W1、W2……Wn以及光能量E1、E2……En，拟合光电子产率与光能量的关系曲线；

将所述关系曲线与光能量坐标轴的交点对应的光能量值作为所述待测样品的材料的逸出功；

其中，1≤i≤n，且i为正整数；h是普朗克常量；c是光速。

2.根据权利要求1所述的测量方法，其特征在于，获取波长为λi的单色光的光子数Npi包括：

控制波长为λi的单色光入射至光电倍增管，获取所述光电倍增管产生的电流Ipi；

根据公式：Npi＝(Ipiλi)/(hcR’(Vpi))，获得波长为λi的单色光的光子数Npi；

其中，1≤i≤n，且i为正整数；h是普朗克常量；c是光速；R’(Vpi)是施加有电压Vpi的光电倍增管的响应。

3.根据权利要求1所述的测量方法，其特征在于，获取波长为λi的单色光作用于待测样品上后产生的光电子数Nei包括：

获取波长为λi的单色光作用于待测样品上后形成的光电流Iei；

根据公式：Nei＝Iei/e，获得波长为λi的单色光作用于待测样品上后产生的光电子数Nei；

其中，1≤i≤n，且i为正整数；e为单位电荷。

4.一种逸出功的测量装置，其特征在于，包括：

光子数获取模块，用于分别获取波长为λ1、λ2……λn的同类单色光的光子数Np1、Np2……Npn；

光电子数获取模块，用于分别获取波长为λ1、λ2……λn的同类单色光作用于待测样品上后产生的光电子数Ne1、Ne2……Nen；

逸出功获得模块，用于根据所述光子数Np1、Np2……Npn以及所述光电子数Ne1、Ne2……Nen，获得所述待测样品的材料的逸出功；

其中，n≥3，且n为正整数；

逸出功获得模块包括：

产率获得单元，用于根据公式：Wi＝Nei/Npi,获得波长为λi的单色光的光电子产率Wi；

特性获得单元，用于根据波长为λ1、λ2……λn的单色光的光电子产率W1、W2……Wn,获得所述待测样品的材料的逸出功；

其中，1≤i≤n，且i为正整数；

特性获得单元包括：

能量计算子单元，用于根据公式：Ei＝hc/λi，计算波长为λi的单色光的光能量Ei；

曲线拟合子单元，用于根据波长为λ1、λ2……λn的单色光的光电子产率W1、W2……Wn以及光能量E1、E2……En，拟合光电子产率与光能量的关系曲线；

特性确定子单元，用于将所述关系曲线与光能量坐标轴的交点对应的光能量值作为所述待测样品的材料的逸出功；

其中，1≤i≤n，且i为正整数；h是普朗克常量；c是光速。