[发明专利]磁传感芯片、温度补偿电流传感器及其制备方法

权利要求书

1.磁传感芯片，包括形成全桥结构的隧道结磁电阻元件以及热敏电阻，其特征在于：所述热敏电阻位于所述隧道结磁电阻元件的电极层上，所述电极层为钌金属层或电极层中有钌金属，所述热敏电阻为钌电阻。

2.如权利要求1所述的磁传感芯片，其特征在于：所述隧道结磁电阻元件可替换为GMR单元。

3.温度补偿电流传感器，包括：聚磁环、绕制于所述聚磁环上的反馈线圈、设置于所述聚磁环缺口处的磁传感芯片、与所述磁传感芯片及所述反馈线圈相连的磁平衡电路；

其特征在于：所述磁传感芯片为权利要求1或2所述的磁传感芯片，所述热敏电阻与温度补偿电路相连，所述反馈线圈向所述温度补偿电路输出电流信号，所述温度补偿电路用于根据所述钌电阻和所述反馈线圈输出的信号对检测结果进行补偿后输出。

4.如权利要求3所述的温度补偿电流传感器，其特征在于：所述温度补偿电路包括温度采样电路、乘法比例电路、加法比例电路以及电流采样电路；所述温度采样电路与所述钌电阻相连，所述温度采样电路向所述乘法比例电路输出信号，所述乘法比例电路向所述加法比例电路输出信号，所述电流采样电路采集所述反馈线圈输出的电流信号并输出至所述加法比例电路，所述加法比例电路将所述电流采样电路输出的信号与所述乘法比例电路输出的信号相加后得到电流传感器最终输出的温度补偿输出信号，温度补偿输出信号同时输出至所述乘法比例电路。

5.如权利要求3所述的温度补偿电流传感器，其特征在于：所述温度补偿电路包括温度采样电路、加法比例电路以及电流采样电；所述温度采样电路与所述钌电阻相连，所述温度采样电路向所述加法比例电路输出信号，所述电流采样电路采集所述反馈线圈输出的电流信号并输出至所述加法比例电路，所述加法比例电路将所述温度采样电路输出的信号和所述电流采样电路输出的信号相加后得到电流传感器最终输出的温度补偿输出信号。

6.如权利要求1或2所述的传感器芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供基底；

在基底上沉积下电极层、钉扎层、非磁层和自由层，下电极层采用钌材料制备；

根据版图，刻蚀出磁电阻元件区域，和热敏电阻区域；

沉积上电极层，制备电气连接结构，包括与磁电阻元件和热敏电阻、反馈线圈相连的连接端子和接线端子，将磁电阻元件和热敏电阻实现电气互联；

封装芯片。