[发明专利]磁传感芯片、温度补偿电流传感器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010495276.7 申请日: 2020-06-03
公开(公告)号: CN111650429A 公开(公告)日: 2020-09-11
发明(设计)人: 刘明;关蒙萌;黄豪;胡忠强;朱家训 申请(专利权)人: 珠海多创科技有限公司
主分类号: G01R19/32 分类号: G01R19/32;G01R15/20
代理公司: 广东朗乾律师事务所 44291 代理人: 杨焕军
地址: 519000 广东省珠海市*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 传感 芯片 温度 补偿 电流传感器 及其 制备 方法
【说明书】:

磁传感芯片、温度补偿电流传感器及其制备方法,温度补偿电流传感器包括:聚磁环、绕制于聚磁环上的反馈线圈、设置于聚磁环缺口处的磁传感芯片、与磁传感芯片及反馈线圈相连的磁平衡电路;磁传感芯片包括形成全桥结构的隧道结磁电阻元件及热敏电阻,热敏电阻位于隧道结磁电阻元件的电极层上,电极层为钌金属层或电极层中有钌金属,热敏电阻为钌电阻,热敏电阻与温度补偿电路相连,反馈线圈向温度补偿电路输出电流信号,温度补偿电路用于根据钌电阻和所述反馈线圈输出的信号对检测结果进行补偿后输出。本发明将热敏元件集成在磁传感芯片内部,温度采集区域与磁场检测的区域更加靠近,反馈的温度信息更加准确,而且不会额外增加其它材料和工艺难度。

技术领域

本发明属于电流感测技术领域,尤指涉及一种可以进行温度补偿的电流传感器其所用的磁传感芯片。

背景技术

基于零磁通原理的磁平衡式电流传感器因具有灵敏度高、测量范围广等优点,在电流测量领域得到了广泛应用。但受到磁场检测部分和反馈线圈绕组温度特性的影响,环境温度的变化会影响磁平衡式电流传感器的灵敏度,进而影响电流传感器的测量精度。为此,需要对电流传感器进行温漂补偿,以确保其在不同温度下的测量精度。

磁平衡式电流传感器一般将磁传感芯片安装在反馈线圈绕组的空气间隙中,而磁传感芯片和反馈线圈绕组是引起电流传感器温漂的主要器件,要想获得准确的检测区域温度信息,用于反馈温度信息的热敏感器件(温度传感器件)应尽可能地靠近磁传感芯片与反馈线圈绕组,以对电流传感器的温漂进行补偿。比较常用的温度补偿手段是在电流传感器中设置热敏电阻,利用热敏电阻采集环境温度,并在电流传感器的电路板上设置温度补偿电路,对电流传感器的输出进行温度补偿,以抑制电流传感器的温漂。为了简化电流传感器的生产工艺,一般将热敏电阻安装在电流传感器的电路板上,由于热敏电阻距离磁传感芯片以及反馈线圈绕组较远,不能准确反映电流传感器零磁通检测区域的温度,对测量精度的提升效果有限。如果将热敏电阻集成于磁传感芯片内,可以使热敏感器件更靠近磁传感芯片和反馈线圈,从而能更准确地反应检测区域的温度信息,使电流传感器温度补偿更加精确。但目前的热敏电阻基本都是采用铂、铜、镍等金属材质制成,由于热敏电阻的材料不同于磁传感芯片的材料,将热敏电阻集成于磁传感芯片中,无疑会增加磁传感芯片制备工艺的复杂程度,提高了电流传感器的生产成本。

发明内容

本发明的目的在于提供一种温度补偿准确度高的磁传感芯片。

本发明的另一目的在于提供一种制作简单的可实现温度补偿的电流传感器。

为了实现上述第一目的,本发明采取如下的技术解决方案:

磁传感芯片,包括形成全桥结构的隧道结磁电阻元件以及热敏电阻,所述热敏电阻位于所述隧道结磁电阻元件的电极层上,所述电极层为钌金属层或电极层中有钌金属,所述热敏电阻为钌电阻。

进一步的,所述隧道结磁电阻元件可替换为GMR单元。

为了实现上述第二目的,本发明采取如下的技术解决方案:

温度补偿电流传感器,包括:聚磁环、绕制于所述聚磁环上的反馈线圈、设置于所述聚磁环缺口处的磁传感芯片、与所述磁传感芯片及所述反馈线圈相连的磁平衡电路;所述磁传感芯片为前述磁传感芯片,所述热敏电阻与温度补偿电路相连,所述反馈线圈向所述温度补偿电路输出电流信号,所述温度补偿电路用于根据所述钌电阻和所述反馈线圈输出的信号对检测结果进行补偿后输出。

由以上技术方案可知,本发明采用钌电阻作为热敏元件,钌元素是制备隧道结磁电阻元件的材料之一,从而可以将钌电阻集成于磁传感芯片中,将热敏电阻集成在磁传感芯片内部,采集温度的区域与磁场检测的区域更加靠近,使得热敏元件反馈的温度信息更加准确,能更精确地反应检测区域的温度信息,使电流传感器温度补偿更加精准;而且由于钌元素本身用于制备隧道结磁电阻元件,只需要在磁传感芯片中划分出温度检测区域,并与温度补偿电路相连即可,原有的磁传感芯片的制备工艺基本不变,也不用增加其它设备,有利于控制生产成本。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于珠海多创科技有限公司,未经珠海多创科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010495276.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top