[发明专利]一种介质波导滤波器的电容耦合结构在审

专利信息
申请号: 202010495291.1 申请日: 2020-06-03
公开(公告)号: CN111478003A 公开(公告)日: 2020-07-31
发明(设计)人: 秦佰坤 申请(专利权)人: 安徽浩源恒方通信技术有限公司
主分类号: H01P1/20 分类号: H01P1/20
代理公司: 广州海心联合专利代理事务所(普通合伙) 44295 代理人: 马赟斋;冼俊鹏
地址: 244000 安徽省铜陵*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 介质波导 滤波器 电容 耦合 结构
【权利要求书】:

1.一种介质波导滤波器的电容耦合结构,其特征在于,所述的电容耦合结构设置在两个相邻的调试孔(2)之间;包括位于介质波导滤波器本体(1)上表面的第一盲孔(3)和位于介质波导滤波器本体(1)下表面的第二盲孔(4),所述第一盲孔(3)和第二盲孔(4)形成负耦合孔;所述第一盲孔(3)和第二盲孔(4)的深度之和大于调试孔(2)的深度,且小于所述介质波导滤波器本体(1)的上表面和下表面之间的间距;所述第一盲孔(3)与第二盲孔(4)同轴布置。

2.根据权利要求1所述的一种介质波导滤波器的电容耦合结构,其特征在于,所述第一盲孔(3)的深度和第二盲孔(4)的深度之和是调试孔(2)的两倍以上。

3.根据权利要求1所述的一种介质波导滤波器的电容耦合结构,其特征在于,所述调试孔(2)的深度大于或等于第一盲孔(3)的深度。

4.根据权利要求3所述的一种介质波导滤波器的电容耦合结构,其特征在于,所述调试孔(2)的深度与第一盲孔(3)的深度差为调试孔(2)深度的0-5%。

5.根据权利要求1所述的一种介质波导滤波器的电容耦合结构,其特征在于,所述第一盲孔(3)的底部和第二盲孔(4)的底部均设有金属导电屏蔽层(7)。

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