[发明专利]一种介质波导滤波器的电容耦合结构

说明书

本发明公开了一种介质波导滤波器的电容耦合结构，涉及滤波器的领域，解决了因负耦合孔过深在烧结后易变形的技术问题。电容耦合结构设置在其中两个相邻的谐振器的调试孔的连线中点上；电容耦合结构包括位于介质波导滤波器本体上表面的第一盲孔和其下表面的第二盲孔，第一盲孔和第二盲孔形成负耦合孔；第一盲孔和第二盲孔的深度之和大于调试孔的深度，且小于介质波导滤波器本体的上表面和下表面之间的间距；第一盲孔与第二盲孔同轴布置。本发明提升了滤波器的矩形系数、抑制特性及设计的灵活性；并且上下对称结构负耦合孔可使干压时粉料具备较好的流动性，介质波导滤波器本体各部分密度均匀，避免烧结过程中负耦合孔易变形的问题。

技术领域

本发明涉及滤波器，更具体地说，它涉及一种介质波导滤波器的电容耦合结构。

背景技术

在移动通信领域，随着技术的发展，对于系统内滤波器的选频性能和小型化要求不断提高，新型高介电常数粉料实现的介质波导滤波器可满足高性能、小型化、低成本要求。

根据移动通信系统基站端大功率微波滤波器的带外选频要求，一般在设计滤波器时需要加入传输零点。而由于介质滤波器的粉料和结构受限，在实现容性交叉耦合时，相较于金属滤波器更为困难。专利号201380046875.9公布了一种介质滤波器，在两个谐振器连接位置中心上表面设置单向负耦合孔，其孔深为所处位置相连接的两个谐振器的调试孔的深度的两倍或多于两倍。该滤波器在生胚压制成型过程中，由于负耦合孔孔深与其他调谐孔深相差达到两倍以上，导致负耦合孔在烧结后易出现变形的现象，为此需要对现有技术进行改进。

发明内容

本发明要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提供一种介质波导滤波器的电容耦合结构，解决了因负耦合孔过深在烧结后易变形的问题。

本发明的技术方案是在于：一种介质波导滤波器的电容耦合结构，所述的电容耦合结构设置在两个相邻的调试孔之间；所述电容耦合结构包括位于介质波导滤波器本体上表面的第一盲孔和位于介质波导滤波器本体下表面的第二盲孔，所述第一盲孔和第二盲孔形成负耦合孔；所述第一盲孔和第二盲孔的深度之和大于调试孔的深度，且小于所述介质波导滤波器本体的上表面和下表面之间的间距；所述第一盲孔与第二盲孔同轴布置。

所述第一盲孔的深度和第二盲孔的深度之和是调试孔的两倍以上。

所述调试孔的深度大于或等于第一盲孔的深度。

所述调试孔的深度与第一盲孔的深度差为调试孔深度的0-5％。

所述第一盲孔的底部和第二盲孔的底部均设有金属导电屏蔽层。

有益效果

本发明的优点在于：通过在相邻的两个调试孔之间的介质波导滤波器本体的上表面和下表面均设置一盲孔，且两个盲孔同轴布置，从而形成上下结构的负耦合孔。上下结构的负耦合孔避免了现有技术中负耦合孔过深而导致介质波导滤波器本体在烧结过程中易变形的问题。并且，由上下结构的两个盲孔形成负耦合孔在滤波器的通带低端形成传输零点，提升了滤波器的矩形系数，提高了滤波器的抑制特性，从而提高滤波器的设计灵活性。

附图说明

图1为本发明的介质波导滤波器本体的上表面的结构示意图；

图2为本发明的介质波导滤波器本体的下表面的结构示意图；

图3为本发明的介质波导滤波器本体的电容耦合结构的示意图；

图4为本发明的滤波器的频率响应曲线图。

具体实施方式

下面结合实施例，对本发明作进一步的描述，但不构成对本发明的任何限制，任何人在本发明权利要求范围所做的有限次的修改，仍在本发明的权利要求范围内。