[发明专利]一种导电屏蔽模组及其制作方法和显示装置在审

专利信息
申请号: 202010495826.5 申请日: 2020-06-03
公开(公告)号: CN111625149A 公开(公告)日: 2020-09-04
发明(设计)人: 王红日;刘惠惠 申请(专利权)人: 上海天马微电子有限公司
主分类号: G06F3/041 分类号: G06F3/041;H01L23/552
代理公司: 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 代理人: 李晓霞
地址: 201201 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 导电 屏蔽 模组 及其 制作方法 显示装置
【权利要求书】:

1.一种导电屏蔽模组,其特征在于,

所述导电屏蔽模组包括第一基底和复合导电膜,所述复合导电膜位于所述第一基底的一侧,其中,所述复合导电膜包括石墨烯薄膜和多个核/壳结构的SiC/SiO2纳米粒子,所述多个核/壳结构的SiC/SiO2纳米粒子分散在所述石墨烯薄膜中。

2.根据权利要求1所述的导电屏蔽模组,其特征在于,

所述第一基底包括石英基底、蓝宝石基底中任意一种。

3.根据权利要求1所述的导电屏蔽模组,其特征在于,

所述核/壳结构的SiC/SiO2纳米粒子的半径为R,所述核/壳结构的SiC/SiO2纳米粒子中SiC核的半径为r,其中,r≥R-r。

4.根据权利要求1所述的导电屏蔽模组,其特征在于,

所述复合导电膜的厚度为d,所述核/壳结构的SiC/SiO2纳米粒子的半径为R;其中,2Rd4R。

5.根据权利要求1所述的导电屏蔽模组,其特征在于,

所述复合导电膜的厚度为d,其中,

k为常数,n1为所述复合导电膜的折射率。

6.根据权利要求5所述的导电屏蔽模组,其特征在于,

7.根据权利要求1所述的导电屏蔽模组,其特征在于,

所述复合导电膜的厚度为d,其中,200nm≤d≤1000nm。

8.一种显示装置,其特征在于,包括:

如权利要求1至7任一项所述的导电屏蔽模组;以及

显示模组和触控功能模组,所述导电屏蔽模组位于所述显示模组和所述触控功能模组之间。

9.根据权利要求8所述的显示装置,其特征在于,

所述触控功能模组包括第二基底和触控功能层,所述触控功能层位于所述第二基底的靠近所述导电屏蔽模组的一侧。

10.根据权利要求9所述的显示装置,其特征在于,

所述第二基底复用为保护盖板。

11.根据权利要求8所述的显示装置,其特征在于,

所述导电屏蔽模组的所述第一基底一侧通过第一胶层与所述显示模组粘结贴合,所述导电屏蔽模组的所述复合导电膜的一侧通过第二胶层与所述触控功能层粘结贴合。

12.一种导电屏蔽模组的制作方法,其特征在于,所述导电屏蔽模组包括第一基底和复合导电膜,其中,所述复合导电膜包括石墨烯薄膜和多个核/壳结构的SiC/SiO2纳米粒子,所述多个核/壳结构的SiC/SiO2纳米粒子分散在所述石墨烯薄膜中,所述制作方法包括:

在所述第一基底之上制作所述复合导电膜,具体包括:

制作包括核/壳结构的SiC/SiO2纳米粒子的溶胶;

将所述溶胶制作在所述第一基底之上,并进行烘干处理,形成镀有多个核/壳结构的SiC/SiO2纳米粒子的所述第一基底;

在所述第一基底的镀有所述多个核/壳结构的SiC/SiO2纳米粒子的一侧生长石墨烯薄膜,所述多个核/壳结构的SiC/SiO2纳米粒子分散在所述石墨烯薄膜中形成所述复合导电膜。

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