[发明专利]具有极高度均一性夹断/临界电压的门极沉降假晶高电子迁移率晶体管

权利要求书

1.一种门极沉降假晶高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括：

一化合物半导体基板；

一外延结构，其形成于该化合物半导体基板上，该外延结构包括：

一缓冲层，形成于该化合物半导体基板上，

一通道层，形成于该缓冲层上，

一肖特基层，形成于该通道层上，其中该肖特基层从下到上包括至少两个半导体材料的层叠区域，其中两个相邻的层叠区域之每一者与另一者之材料不同，且两者之间设有一层叠区域结，及

一第一覆盖层，形成于该肖特基层上；

一源极电极，形成于该第一覆盖层之一端；

一漏极电极，形成于该第一覆盖层之另一端，其中一门极凹槽位于该源极电极和该漏极电极之间；及

一门极电极，其包括一第一门极金属层，该门极电极的该第一门极金属层沉积于该门极凹槽内的该肖特基层上，其中一门极沉降区域位于该门极电极的该第一门极金属层的下方，且该门极沉降区域之一底边界位于该肖特基层的至少一层叠区域结之一者的上或下之内。

2.如权利要求1所述之门极沉降假晶高电子迁移率晶体管，其特征在于，该门极沉降区域的该底边界位于该肖特基层的该至少一层叠区域结之一者处。

3.如权利要求1所述之门极沉降假晶高电子迁移率晶体管，其特征在于，该门极凹槽的一凹槽底部由该肖特基层的最上层层叠区域定义，且该门极电极的该第一门极金属层与该肖特基层的该最上层层叠区域接触。

4.如权利要求1所述之门极沉降假晶高电子迁移率晶体管，其特征在于，在该肖特基层的任两个相邻的层叠区域中，由AlGaAs为基底的半导体材料构成的层叠区域与由InGaP为基底的半导体材料构成的另一层叠区域交替层叠，其中该AlGaAs为基底的半导体材料包括AlGaAs、AlGaAsP和InAlGaAs中的至少一者，而该InGaP为基底的半导体材料包括InGaP、InGaPAs和AlInGaP中的至少一者。

5.如权利要求4所述之门极沉降假晶高电子迁移率晶体管，其特征在于，该外延结构更包括一第一接触层，该第一接触层与该肖特基层之该最上层层叠区域的一上表面接触，且该第一覆盖层形成于该第一接触层上，该第一接触层包括GaAs、AlGaAs、AlGaAsP、InAlGaAs、InGaP、InGaAsP和InAlGaP中的至少一者，且该第一接触层与该肖特基层之该最上层层叠区域的材料不同。

6.如权利要求5所述之门极沉降假晶高电子迁移率晶体管，其特征在于，该门极凹槽的一凹槽底部由该第一接触层定义，且该门极电极的该第一门极金属层与该第一接触层接触。

7.如权利要求1所述之门极沉降假晶高电子迁移率晶体管，其特征在于，该门极电极的该第一门极金属层包括钼、钨、硅化钨、钛、铱、钯、铂、镍、钴、铬、钌、锇、铑、钽、氮化钽、铝和铼中的至少一者。

8.如权利要求1所述之门极沉降假晶高电子迁移率晶体管，其特征在于，该外延结构更包括一蚀刻终止层和一第二覆盖层，该蚀刻终止层形成于该第一覆盖层上，该第二覆盖层形成于该蚀刻终止层上，而该源极电极和该漏极电极形成于该第二覆盖层上。

9.如权利要求8所述之门极沉降假晶高电子迁移率晶体管，其特征在于，该蚀刻终止层包括InGaP、InGaAsP、InAlGaP和AlAs中的至少一者。

10.如权利要求8所述之门极沉降假晶高电子迁移率晶体管，其特征在于，该第二覆盖层包括GaAs。

11.如权利要求1所述之门极沉降假晶高电子迁移率晶体管，其特征在于，该第一覆盖层包括GaAs。

12.如权利要求1所述之门极沉降假晶高电子迁移率晶体管，其特征在于，该通道层包括GaAs和InGaAs中的至少一者。