[发明专利]一种陶瓷承烧钵的表面处理方法及应用

权利要求书

1.一种陶瓷承烧钵的表面处理方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）将陶瓷承烧钵清洗烘干后，表面涂布A浆料，然后再次烘干；所述A浆料的原料为BaCO₃和TiO₂粉末，二者之间的比例为（70-72）：（30-28）wt%；

（2）涂布A浆料的承烧钵在1280℃-1380℃条件下烧结，保温2-4小时，在承烧钵表面形成一层釉质保护膜；

所述的陶瓷承烧钵为Al₂O₃含量75-100wt%及SiO₂含量0-25wt%的刚玉、莫来石或刚玉莫来石材质；

所述A浆料通过以下方法制取：

a) 将BaCO₃和TiO₂粉末按照（70-72）：（30-28）wt%的比例混合，进行湿法研磨；

b) 倒出浆料在容器中，并烘干制成团块；

c) 将团块烧结制成烧块；

d) 将烧块破碎为烧块颗粒；

e) 将烧块颗粒湿法研磨，制成A浆料；

步骤c)是将团块在1200-1280℃温度下烧结，保温2-3小时，制成烧块。

2.根据权利要求1所述的表面处理方法，其特征在于，步骤a)中所述湿法研磨是在球磨罐中加水湿磨3-5小时。

3.根据权利要求1所述的表面处理方法，其特征在于，步骤b)是倒出浆料在不锈钢盘中，在烘箱中100-150℃烘干，制成团块。

4.根据权利要求1所述的表面处理方法，其特征在于，步骤d)是将烧块用破碎机破碎成粒径0.5-1cm的颗粒。

5.根据权利要求1所述的表面处理方法，其特征在于，步骤e)是将烧块颗粒与水按照1：1比例混合，在球磨机湿磨1-2小时，料浆注入砂磨机继续磨1小时，即制成A浆料。

6.根据权利要求1所述的表面处理方法，其特征在于，步骤（1）中，根据陶瓷承烧钵和A浆料的实际状态，对A浆料添加适量的水以满足涂刷所需黏度。

7.经权利要求1所述表面处理方法处理后的陶瓷承烧钵在半导体陶瓷烧成工艺中的应用。