[发明专利]一种陶瓷承烧钵的表面处理方法及应用

说明书

本发明公开了一种陶瓷承烧钵的表面处理方法及应用。该表面处理方法主要包括以下步骤：将陶瓷承烧钵清洗烘干后，表面涂布A浆料，然后再次烘干；A浆料的原料为BaCO₃和TiO₂粉末，二者之间的比例为(70‑72)∶(30‑28)wt％；涂布A浆料的承烧钵在1280℃‑1380℃条件下烧结，保温2‑4小时，在承烧钵表面形成一层釉质保护膜，可以有效的阻止陶瓷承烧钵在反复使用的过程中细粉的脱落，从而避免在半导体陶瓷上形成针孔缺陷。本发明操作简单，无需专用设备，常规半导体陶瓷生产设备即可满足使用。

技术领域

本发明属于电子陶瓷技术领域，涉及到半导体陶瓷生产过程中的烧成工艺，特别涉及到一种陶瓷承烧钵的表面处理方法及应用。

背景技术

众所周知，钛酸钡系统的半导体陶瓷是制造高比容表面层电容器、晶界层电容器的基础材料，工业化大生产的半导体陶瓷电容器的烧成工艺，是将半导体陶瓷电容器成型后的圆片形生坯，利用模板几十片叠层后放置在承烧钵中在1280-1360℃温度下烧成。承烧钵一般由耐火材料厂家用高纯度氧化铝加工而成，为了防止氧化铝和产品生坯在高温下发生化学反应，通常的做法是在承烧钵里面垫一块高纯度氧化锆垫板，阻隔承烧钵和产品生坯直接接触。但是工业生产中是多层承烧钵叠在一起进入窑炉烧成的。承烧钵也是反复循环使用的，为了具有较高耐冷热性，一般会用粗颗粒加细粉压制成型，表面细粉会在烧成推送外力作用及冷热冲击反复膨胀下脱落。常规的方法和措施只能防止生坯的底部不和承烧钵直接接触，不能阻碍上层承烧钵脱落的细粉掉在产品生坯上和生坯发生化学反应。承烧钵细粉和产品生坯在高温下发生化学反应会在产品上留下一个个细如针尖的熔洞，工业生产中称之为针孔缺陷，该缺陷会使半导体陶瓷电容器介质层变薄，造成电容器耐压不良或者短路击穿。

发明内容

针对现有方法存在的问题，本发明提供了一种陶瓷承烧钵的表面处理方法。

为了达到上述目的，本发明采用以下技术方案实现：

一种陶瓷承烧钵的表面处理方法，包括以下步骤：

(1)将陶瓷承烧钵清洗烘干后，表面涂布A浆料，然后再次烘干；所述A浆料的原料为BaCO₃和TiO₂粉末，二者之间的比例为(70-72)：(30-28)wt％；

(2)涂布A浆料的承烧钵在1280℃-1380℃条件下烧结，保温2-4小时，在承烧钵表面形成一层釉质保护膜。

较佳的，所述的陶瓷承烧钵为Al₂O₃含量75-100wt％及SiO₂含量0-25wt％的刚玉、莫来石或刚玉莫来石材质。

较佳的，所述A浆料通过以下方法制取：

a)将BaCO₃和TiO₂粉末按照(70-72)：(30-28)wt％的比例混合，进行湿法研磨；

b)倒出浆料在容器中，并烘干制成团块；

c)将团块烧结制成烧块；

d)将烧块破碎为烧块颗粒；

e)将烧块颗粒湿法研磨，制成A浆料。

较佳的，步骤a)中所述湿法研磨是在球磨罐中加水湿磨3-5小时。

较佳的，步骤b)是倒出浆料在不锈钢盘中，在烘箱中100-150℃烘干，制成团块；

较佳的，步骤c)是将团块在1200-1280℃温度下烧结，保温2-3小时，制成烧块。

较佳的，步骤d)是将烧块用破碎机破碎成粒径0.5-1cm的颗粒。