[发明专利]双面电容结构及其形成方法

权利要求书

1.一种双面电容结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供基底，所述基底表面形成有电容触点；

形成叠层结构于所述基底上，并覆盖所述电容触点；

沿垂直于所述基底的方向形成电容孔贯穿所述叠层结构，并暴露所述电容触点，所述叠层结构包括交替叠置的牺牲层和支撑层；

形成辅助层覆盖于所述电容孔侧壁；

形成第一电极层覆盖所述辅助层表面和被暴露出的所述电容触点；

去除所述叠层结构顶部的部分所述支撑层，以形成开口暴露所述牺牲层；

沿所述开口同时去除所述牺牲层和所述辅助层，以形成空隙于所述支撑层和所述第一电极层之间；

形成覆盖于所述第一电极层表面的电介质层、以及覆盖于所述电介质层表面的第二电极层，所述空隙内至少填充有所述电介质层。

2.根据权利要求1所述的双面电容结构的形成方法，其特征在于，所述形成叠层结构于所述基底上的具体步骤包括：

在所述基底上由下至上依次沉积第一支撑层、第一牺牲层、第二支撑层、第二牺牲层和第三支撑层，形成所述叠层结构，所述叠层结构覆盖所述电容触点。

3.根据权利要求2所述的双面电容结构的形成方法，其特征在于，所述去除所述叠层结构顶部的部分所述支撑层之前，还包括如下步骤：

形成填充层于所述第一电极层表面，并填充所述电容孔。

4.根据权利要求2所述的双面电容结构的形成方法，其特征在于，所述形成开口暴露所述牺牲层的具体步骤包括：

刻蚀所述第三支撑层，形成至少一个开口暴露所述第二牺牲层，每个所述开口与至少一个所述电容孔部分交叠。

5.根据权利要求3所述的双面电容结构的形成方法，其特征在于，所述沿所述开口同时去除所述牺牲层和所述辅助层的具体步骤包括：

采用湿法刻蚀工艺沿所述开口同时去除所述第二牺牲层、所述第一牺牲层和所述辅助层，形成所述空隙于所述第一电极层和残留的所述叠层结构之间。

6.根据权利要求5所述的双面电容结构的形成方法，其特征在于，所述形成覆盖于所述第一电极层表面的电介质层、以及覆盖于所述电介质层表面的第二电极层的具体步骤包括：

于所述空隙中形成覆盖所述第一电极层表面的第一子电介质层；

去除所述填充层；

至少于所述电容孔内形成覆盖于所述第一电极层表面的第二子电介质层；

形成覆盖于所述第一子电介质层表面和所述第二子电介质层表面的第二电极层。

7.根据权利要求6所述的双面电容结构的形成方法，其特征在于，所述第二子电介质层还形成于所述空隙中，并覆盖所述第一子电介质层表面，所述第二电极层覆盖所述第二子电介质层表面。

8.根据权利要求1所述的双面电容结构的形成方法，其特征在于，所述辅助层与所述牺牲层的材料相同。

9.一种双面电容结构，其特征在于，采用权利要求1~8中任意一项所述的双面电容结构的形成方法形成，所述双面电容结构包括：

基底，所述基底表面具有电容触点；

顶层支撑层和中间支撑层，均具有若干电容开孔，且在平行于所述基底的平面上，所述中间支撑层的投影面积大于所述顶层支撑层的投影面积；

第一电极层，呈顶部开口的空心柱状垂直于所述基底表面且通过所述电容开孔贯穿所述顶层支撑层和所述中间支撑层，所述第一电极层的底部与所述电容触点连接；

电介质层，覆盖于所述第一电极层、所述顶层支撑层和所述中间支撑层表面；

第二电极层，覆盖于所述电介质层表面。

10.根据权利要求9所述的双面电容结构，其特征在于，

所述中间支撑层与所述顶层支撑层中的所述电容开孔在所述基底上的投影重叠。

11.根据权利要求9所述的双面电容结构，其特征在于，还包括：

导电层，覆盖于所属第二电极层表面。