[发明专利]双面电容结构及其形成方法

说明书

本发明涉及一种双面电容结构及其形成方法。所述双面电容结构的形成方法包括如下步骤：提供基底；形成叠层结构于所述基底上；沿垂直于所述基底的方向形成电容孔贯穿所述叠层结构，所述叠层结构包括交替叠置的牺牲层和支撑层；形成辅助层覆盖于所述电容孔侧壁；形成第一电极层覆盖所述辅助层表面；去除所述叠层结构顶部的部分所述支撑层，以形成开口暴露所述牺牲层；沿所述开口同时去除所述牺牲层和所述辅助层，以形成空隙于所述支撑层和所述第一电极层之间；形成覆盖于所述第一电极层表面的电介质层、以及覆盖于所述电介质层表面的第二电极层，所述空隙内至少填充有所述电介质层。本发明能够提高双面电容结构的横向稳定性。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种双面电容结构及其形成方法。

背景技术

动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是计算机等电子设备中常用的半导体结构，其由多个存储单元构成，每个存储单元通常包括用于存储电荷的电容器和存取电容器的晶体管。所述晶体管的栅极与字线电连接、源极与位线电连接、漏极与电容器电连接，字线上的字线电压能够控制晶体管的开启与关闭，从而通过位线能够读取存储在电容器中的数据信息，或者将数据信息写入到电容器中。DRAM以电容器上的电荷的形式存储数据，所以需要在每几个毫秒的时间间隔内即将电容器作规则性的再充电，而电容器的电容值越大，储存在DRAM中的数据也可被维持得越久。

由于DRAM中电容器深宽比的不断提高，电容孔在形成双面电容结构的过程中易发生剥离(peeling)现象，或者在后续制程中出现倾斜或弯曲，这都会导致DRAM良率的降低。

因此，如何增加双面电容结构的稳定性，改善双面电容结构的性能，提高DRAM的良率，是当前亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明提供一种双面电容结构及其形成方法，用于解决现有的双面电容结构稳定性较差的问题，以改善双面电容结构的性能，提高DRAM的良率。

为了解决上述问题，本发明提供了一种双面电容结构的形成方法，包括如下步骤：

提供基底，所述基底表面形成有电容触点；

形成叠层结构于所述基底上，并覆盖所述电容触点；

沿垂直于所述基底的方向形成电容孔贯穿所述叠层结构，并暴露所述电容触点，所述叠层结构包括交替叠置的牺牲层和支撑层；

形成辅助层覆盖于所述电容孔侧壁；

形成第一电极层覆盖所述辅助层表面和被暴露出的所述电容触点；

去除所述叠层结构顶部的部分所述支撑层，以形成开口暴露所述牺牲层；

沿所述开口同时去除所述牺牲层和所述辅助层，以形成空隙于所述支撑层和所述第一电极层之间；

形成覆盖于所述第一电极层表面的电介质层、以及覆盖于所述电介质层表面的第二电极层，所述空隙内至少填充有所述电介质层。

可选的，所述形成叠层结构于所述基底上的具体步骤包括：

在所述基底上由下至上依次沉积第一支撑层、第一牺牲层、第二支撑层、第二牺牲层和第三支撑层，形成所述叠层结构，所述叠层结构覆盖所述电容触点。

可选的，所述去除所述叠层结构顶部的部分所述支撑层之前，还包括如下步骤：

形成填充层于所述第一电极层表面，并填充所述电容孔。

可选的，所述形成开口暴露所述牺牲层的具体步骤包括：

刻蚀所述第三支撑层，形成至少一个开口暴露所述第二牺牲层，每个所述开口与至少一个所述电容孔部分交叠。

可选的，所述沿所述开口同时去除所述牺牲层和所述辅助层的具体步骤包括：