[发明专利]半导体凸块及其制备方法、封装结构在审
| 申请号： | 202010499138.6 | 申请日： | 2020-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN111627880A | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 莫雷清;简永幸 | 申请（专利权）人： | 厦门通富微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/00;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226 | 代理人： | 李明;赵吉阳 |
| 地址： | 361012 福建省厦门市自由贸易试验区厦门片*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 及其 制备 方法 封装 结构 | ||
1.一种半导体凸块的制备方法，其特征在于，包括：
提供基底；
在所述基底上形成凸块下金属层；
对所述凸块下金属层进行第一次构图工艺，以在所述凸块下金属层上形成第一金属功能层；
对所述凸块下金属层和所述第一金属功能层进行第二次构图工艺，形成覆盖所述第一金属功能层表面的第二金属功能层；
所述凸块下金属层、所述第一金属功能层和所述第二金属功能层形成所述半导体凸块。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述凸块下金属层进行第一次构图工艺，以在所述凸块下金属层上形成第一金属功能层，包括：
在所述凸块下金属层上形成第一光刻胶层，图形化所述第一光刻胶层以形成第一开窗区域；
在所述第一开窗区域内形成所述第一金属功能层，并去除其余所述第一光刻胶层。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对所述凸块下金属层和所述第一金属功能层进行第二次构图工艺，形成覆盖所述第一金属功能层表面的第二金属功能层，包括：
在所述凸块下金属层和所述第一金属功能层上形成第二光刻胶层，图形化所述第二光刻胶层以形成第二开窗区域，所述第二开窗区域与所述第一开窗区域相对应；
在所述第二开窗区域内形成覆盖所述第一金属功能层的第二金属功能层，并去除其余所述第二光刻胶层。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二开窗区域在所述第一开窗区域上的正投影落在所述第一开窗区域外侧。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第二开窗区域宽度不小于所述第一金属功能层的宽度和所述第二金属功能层的宽度之和。
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述第二开窗区域内形成覆盖所述第一金属功能层的第二金属功能层，包括：
形成覆盖所述第一金属功能层的阻隔层；
形成覆盖所述阻隔层的功能层；
所述阻隔层和所述功能层形成所述第二金属功能层。
7.根据权利要求1至6任一项所述的方法，其特征在于，所述在所述基底上形成凸块下金属层，包括：
在所述基底上通过溅射工艺形成第一金属层；
在所述第一金属层上通过溅射工艺形成第二金属层；
所述第一金属层和所述第二金属层形成所述凸块下金属层。
8.根据权利要求1至6任一项所述的方法，其特征在于，所述第一金属功能层包括铜功能层；
所述第二金属功能层包括依次覆盖在所述铜功能层上的镍阻隔层和金功能层。
9.一种半导体凸块，其特征在于，采用权利要求1至8任一项所述的方法制备形成。
10.一种封装结构，其特征在于，所述封装结构包括权利要求9所述的半导体凸块。
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