[发明专利]半导体凸块及其制备方法、封装结构

说明书

本发明提供一种半导体凸块及其制备方法、封装结构。制备方法包括：提供基底；在基底上形成凸块下金属层；对凸块下金属层进行第一次构图工艺，以在凸块下金属层上形成第一金属功能层；对凸块下金属层和第一金属功能层进行第二次构图工艺，形成覆盖第一金属功能层表面的第二金属功能层。采用两次构图工艺分别形成第一金属功能层以及覆盖在第一金属功能层上的第二金属功能层，可以避免第一金属功能层直接暴露在空气中，从而可以有效避免第一金属功能层(活性较强，如铜等)在空气中发生氧化和腐蚀等导致失效的现象发生，提高半导体凸块的制作良率，并能够有效避免应用该半导体凸块的芯片发生漏电情况，提高芯片的安全性能。

技术领域

本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种半导体凸块、一种半导体凸块的制备方法以及一种封装结构。

背景技术

凸块技术常被用于集成电路的封装工艺中，然而为了降低纯金凸块较高的成本，铜镍金凸块越来越多的被用于封装工艺中。

铜镍金凸块生长的目前工艺制程主要包括溅射、曝光和显影、电镀以及刻蚀等。

但是，在电镀铜镍金的过程中，是电镀铜、电镀镍、电镀金逐层电镀的，其中电镀镍是作为铜和金之间的阻隔层，防止铜和金之间共晶存在的，在最后去除光阻后，下层电镀铜侧壁完全裸露在外面，然而铜特性较活泼，在空气中极易发生氧化和腐蚀而导致失效，最终导致芯片漏电失效。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种半导体凸块、一种半导体凸块的制备方法以及一种封装结构。

本发明的一方面，提供一种半导体凸块的制备方法，包括：

提供基底；

在所述基底上形成凸块下金属层；

对所述凸块下金属层进行第一次构图工艺，以在所述凸块下金属层上形成第一金属功能层；

对所述凸块下金属层和所述第一金属功能层进行第二次构图工艺，形成覆盖所述第一金属功能层表面的第二金属功能层；

所述凸块下金属层、所述第一金属功能层和所述第二金属功能层形成所述半导体凸块。

在可选地一些实施方式中，所述对所述凸块下金属层进行第一次构图工艺，以在所述凸块下金属层上形成第一金属功能层，包括：

在所述凸块下金属层上形成第一光刻胶层，图形化所述第一光刻胶层以形成第一开窗区域；

在所述第一开窗区域内形成所述第一金属功能层，并去除其余所述第一光刻胶层。

在可选地一些实施方式中，所述对所述凸块下金属层和所述第一金属功能层进行第二次构图工艺，形成覆盖所述第一金属功能层表面的第二金属功能层，包括：

在所述凸块下金属层和所述第一金属功能层上形成第二光刻胶层，图形化所述第二光刻胶层以形成第二开窗区域，所述第二开窗区域与所述第一开窗区域相对应；

在所述第二开窗区域内形成覆盖所述第一金属功能层的第二金属功能层，并去除其余所述第二光刻胶层。

在可选地一些实施方式中，所述第二开窗区域在所述第一开窗区域上的正投影落在所述第一开窗区域外侧。

在可选地一些实施方式中，所述第二开窗区域宽度不小于所述第一金属功能层的宽度和所述第二金属功能层的宽度之和。

在可选地一些实施方式中，所述在所述第二开窗区域内形成覆盖所述第一金属功能层的第二金属功能层，包括：

形成覆盖所述第一金属功能层的阻隔层；

形成覆盖所述阻隔层的功能层；

所述阻隔层和所述功能层形成所述第二金属功能层。