[发明专利]半导体凸块及其制备方法、封装器件

权利要求书

1.一种半导体凸块的制备方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成种子层；

在所述种子层上通过一次构图工艺形成第一层凸块和第二层凸块，以制备得到半导体凸块，所述第一层凸块面积小于所述第二层凸块面积。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述种子层上通过一次构图工艺形成第一层凸块和第二层凸块，包括：

在所述种子层上依次形成第一光刻胶层和第二光刻胶层；

图形化所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层，分别形成第一开口区域以及与所述第一开口区域相连通的第二开口区域；

在所述第一开口区域内形成所述第一层凸块，在所述第二开口区域内形成所述第二层凸块。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一光刻胶层的光敏感度小于所述第二光刻胶层的光敏感度，所述图形化所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层，分别形成第一开口区域以及与所述第一开口区域相连通的第二开口区域，包括：

第一图形化阶段：

对所述第二光刻胶层进行曝光和显影处理，以在所述第二光刻胶层上形成贯穿其厚度的所述第二开口区域；以及，

对所述第一光刻胶层进行显影处理，以在所述第一光刻胶层上形成贯穿其厚度的竖向第一开口区域；

第二图形化阶段：

继续对所述第一光刻胶层进行显影处理，以在所述第一光刻胶层上形成沿其长度方向贯穿预定深度的横向第一开口区域；

所述竖向第一开口区域和所述横向第一开口区域组成所述第一开口区域。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一图形化阶段的时间范围为80s～100s；和/或，

所述第二图形化阶段的时间范围为10s～30s。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一光刻胶层的厚度与所述第一层凸块的高度一致，所述第二光刻胶层的厚度大于所述第二层凸块的高度。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一光刻胶层的厚度范围为1um～5um，所述第二光刻胶层的厚度范围为10um～15um。

7.根据权利要求1至6任一项所述的方法，其特征在于，所述基底包括衬底以及预先形成在所述衬底上的导电层和覆盖在所述导电层边缘区域的保护层；其中，

所述种子层在所述导电层和所述保护层上形成。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在对第一光刻胶层进行第二图形化阶段形成横向第一开口区域时，

所述横向第一开口区域在所述导电层上的正投影落在所述导电层外侧。

9.一种半导体凸块，其特征在于，采用权利要求1至8任一项所述的方法制备形成。

10.一种封装器件，其特征在于，所述封装器件包括权利要求9所述的半导体凸块。