[发明专利]一种OLED制程提高光刻胶剥离效果的方法

权利要求书

1.一种OLED制程提高光刻胶剥离效果的方法，其特征在于：其方法包括如下步骤：

(1)光阻涂覆：首先在OLED基板上涂覆一层光阻层(PR)；

(2)UV曝光：对涂覆光阻层的基板上方，用掩膜版覆盖，从上方进行曝光照射，使曝光区域下的光刻胶发生光化学反应，将掩膜版阻挡的部位定义为A区域；

(3)光阻显影：OLED基板上被掩膜版阻挡的部位A区域的光刻胶溶解脱落，暴露出下面的镀层，对像素定义区进行开孔操作；

(4)蒸镀OLED功能层：对显影后的基板进行功能层蒸镀，首先对其蒸镀红光功能层，该功能层随即覆盖在暴露区和光阻层(PR)上；

(5)干刻蚀：选取掩膜版对OLED基板上方进行遮挡，利用掩膜版对开孔区域下方的红光OLED功能层进行干法刻蚀，使该区域的光阻层(PR)裸露出来；

(6)去除光阻层：用剥膜液对经过干刻蚀后的OLED基板从上方进行喷洒，剥膜液可以顺利地在红光OLED功能层未覆盖光阻裸露区域与其相接触，从而对光阻层(PR)进行去除，即可完成对OLED基板表面红光的制备；

(7)重复光阻涂覆：在完成红光制备OLED基板上涂覆一层新的光阻层(PR)，此时红光被新的光阻层(PR)所覆盖；

(8)重复曝光：重复进行步骤(2)中的操作，采用掩膜版进行遮挡，再进行曝光照射，之后重复进行步骤(3)-(6)中的操作；

(9)重复制备：在步骤(8)的基础上，重复进行步骤(1)-(6)的操作，实现蓝光的制备。

2.根据权利要求1所述的一种OLED制程提高光刻胶剥离效果的方法，其特征在于：所述步骤(1)中，所涂覆光阻层的厚度范围为0.5-5mm，且光阻为负型，基板为阳极。

3.根据权利要求1所述的一种OLED制程提高光刻胶剥离效果的方法，其特征在于：所述步骤(2)中，用于曝光的波长为405nm，且该曝光操作为非接触式。

4.根据权利要求1所述的一种OLED制程提高光刻胶剥离效果的方法，其特征在于：所述步骤(4)中，该红光功能层的厚度范围为200-400nm，且保证均匀分布，覆盖的暴露区即为A区域。

5.根据权利要求1所述的一种OLED制程提高光刻胶剥离效果的方法，其特征在于：所述步骤(5)中，掩膜版遮挡的区域呈间断分布，且覆盖的区域包含A区域。

6.根据权利要求1所述的一种OLED制程提高光刻胶剥离效果的方法，其特征在于：所述步骤(5)中，干法刻蚀可以为物理性刻蚀、化学性刻蚀或物理化学性刻蚀中的任意一种。

7.根据权利要求1所述的一种OLED制程提高光刻胶剥离效果的方法，其特征在于：所述步骤(8)中，掩膜版所遮挡的区域在红光区的侧边，将该区域定义为B，且B区域完成的是绿光的制备。

8.根据权利要求1所述的一种OLED制程提高光刻胶剥离效果的方法，其特征在于：所述步骤(9)中，其在进行掩膜版遮挡时，遮挡的位置在绿光区的侧边，将该区域定义为C，且A、B、C三个区域依次相邻排列，以此完成红绿蓝三色的制备工作。