[发明专利]一种OLED制程提高光刻胶剥离效果的方法

说明书

本发明专利公开了一种OLED制程提高光刻胶剥离效果的方法，其方法包括如下步骤：首先在OLED基板上涂覆一层光阻层(PR)；对涂覆光阻层的基板上方，用掩膜版覆盖，从上方进行曝光照射，使曝光区域下的光刻胶发生光化学反应，将掩膜版阻挡的部位定义为A区域；OLED基板上被掩膜版阻挡的部位A区域的光刻胶溶解脱落；本发明专利通过干刻蚀法对表面蒸镀OLED功能层的基板进行处理，使得剥膜液可以顺利在OLED功能层未覆盖的光阻裸露区域与其接触，达到有效去除光阻目的，解决了目前采用的OLED蒸镀制程工艺在进行蒸镀后光刻胶难剥离，容易造成光刻胶无法顺利去除，从而影响后续制程的问题，避免了OLED显示器产生像素点缺色形成黑点，造成显示不良的情况。

技术领域

本发明专利涉及OLED制程工艺技术领域，具体为一种OLED制程提高光刻胶剥离效果的方法。

背景技术

OLED，又称为有机电激光显示、有机发光半导体。OLED属于一种电流型的有机发光器件，是通过载流子的注入和复合而致发光的现象，发光强度与注入的电流成正比。OLED在电场的作用下，阳极产生的空穴和阴极产生的电子就会发生移动，分别向空穴传输层和电子传输层注入，迁移到发光层。当二者在发光层相遇时，产生能量激子，从而激发发光分子最终产生可见光。

目前采用的OLED蒸镀制程工艺在进行蒸镀后光刻胶难剥离，容易造成光刻胶无法顺利去除，从而影响后续制程，最终使OLED显示器产生像素点缺色形成黑点，造成显示不良，为此我们提出一种通过干刻蚀法对表面蒸镀OLED功能层的基板进行处理，使得剥膜液可以顺利在OLED功能层未覆盖的光阻裸露区域与其接触，达到有效去除光阻目的的光刻胶剥离效果的方法来解决此问题。

发明专利内容

本发明专利的目的在于提供一种OLED制程提高光刻胶剥离效果的方法，以解决上述背景技术中提到的目前采用的OLED蒸镀制程工艺在进行蒸镀后光刻胶难剥离，容易造成光刻胶无法顺利去除，从而影响后续制程问题。

为实现上述目的，本发明专利提供如下技术方案：一种OLED制程提高光刻胶剥离效果的方法，其方法包括如下步骤：

(1)光阻涂覆：首先在OLED基板上涂覆一层光阻层(PR)；

(2)UV曝光：对涂覆光阻层的基板上方，用掩膜版覆盖，从上方进行曝光照射，使曝光区域下的光刻胶发生光化学反应，将掩膜版阻挡的部位定义为A区域；

(3)光阻显影：OLED基板上被掩膜版阻挡的部位A区域的光刻胶溶解脱落，暴露出下面的镀层，对像素定义区进行开孔操作；

(4)蒸镀OLED功能层：对显影后的基板进行功能层蒸镀，首先对其蒸镀红光功能层，该功能层随即覆盖在暴露区和光阻层(PR)上；

(5)干刻蚀：选取掩膜版对OLED基板上方进行遮挡，利用掩膜版对开孔区域下方的红光OLED功能层进行干法刻蚀，使该区域的光阻层(PR)裸露出来；

(6)去除光阻层：用剥膜液对经过干刻蚀后的OLED基板从上方进行喷洒，剥膜液可以顺利地在红光OLED功能层未覆盖光阻裸露区域与其相接触，从而对光阻层(PR)进行去除，即可完成对OLED基板表面红光的制备；

(7)重复光阻涂覆：在完成红光制备OLED基板上涂覆一层新的光阻层(PR)，此时红光被新的光阻层(PR)所覆盖；

(8)重复曝光：重复进行步骤(2)中的操作，采用掩膜版进行遮挡，再进行曝光照射，之后重复进行步骤(3)-(6)中的操作；

(9)重复制备：在步骤(8)的基础上，重复进行步骤(1)-(6)的操作，实现蓝光的制备。

优选的，所述步骤(1)中，所涂覆光阻层的厚度范围为0.5-5mm，且光阻为负型，基板为阳极。

优选的，所述步骤(2)中，用于曝光的波长为405nm，且该曝光操作为非接触式。