[发明专利]发热元件及制备方法、加热不燃烧装置

权利要求书

1.一种发热元件，其特征在于，包括管状的本体层(102)、位于所述本体层(102)内表面上的内层(103)、位于所述本体层(102)外表面上的外层(101)，所述本体层(102)具有发热电路，所述外层(101)的红外发射率小于所述内层(103)的红外发射率。

2.根据权利要求1所述的发热元件，其特征在于，所述内层(103)的红外发射率不小于0.9；所述外层(101)的红外发射率记为不大于0.6。

3.根据权利要求1所述的发热元件，其特征在于，所述内层(103)的材料包括：尖晶石、硅氧化物、金属氧化物、氮化物中的至少一项。

4.根据权利要求1所述的发热元件，其特征在于，所述外层(101)的材料包括：铜、铝、金、银、钛、锌中的至少一项。

5.根据权利要求1所述的发热元件，其特征在于，所述本体层(102)由导体形成，所述本体层(102)作为所述发热电路。

6.根据权利要求1所述的发热元件，其特征在于，所述本体层(102)包括：绝缘基质以及位于所述绝缘基质表面上的发热电路。

7.根据权利要求6所述的发热元件，其特征在于，所述本体层(102)还包括位于所述发热电路背向所述绝缘基质的保护层。

8.根据权利要求6所述的发热元件，其特征在于，所述绝缘基质的材料包括：玻璃、陶瓷、塑料和聚酰亚胺中的任一项。

9.根据权利要求1所述的发热元件，其特征在于，所述本体层(102)的厚度在0.01毫米至5毫米之间，所述内层(103)的厚度在5纳米至1000纳米之间，所述外层(101)的厚度在5纳米至1000纳米之间。

10.一种发热元件的制备方法，其特征在于，包括：

形成本体层(102)层，其中，所述本体层(102)层具有发热电路，所述本体层(102)层具有相对的第一表面和第二表面；

在所述第一表面上形成内层(103)；

在所述第二表面上形成外层(101)，其中，所述外层(101)的红外发射率小于所述内层(103)的红外发射率；

将所述本体层(102)层卷成管状结构，其中，所述内层(103)位于所述管状结构的内侧，所述外层(101)位于所述管状结构的外侧。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述形成本体层(102)层，包括：

形成绝缘基质层；

在所述绝缘基质层上形成发热电路；

在所述发热电路背向所述绝缘基质层一侧形成保护层。

12.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，形成所述内层(103)的工艺和/或形成所述外层(101)的工艺包括：气相沉积、磁控溅射、热氧化、等离子气相沉积、化学镀、电镀、真空镀、涂布、印刷中的任一项。

13.一种发热元件的制备方法，其特征在于，包括：

形成管状的本体层(102)，其中，所述本体层(102)具有发热电路，所述本体层(102)具有位于相对的内表面和外表面；

在所述内表面上形成内层(103)；

在所述外表面上形成外层(101)，其中，所述外层(101)的红外发射率小于所述内层(103)的红外发射率。

14.根据权利要求13所述的制备方法，其特征在于，形成所述内层(103)的工艺和/或形成所述外层(101)的工艺包括：气相沉积、磁控溅射、热氧化、等离子气相沉积、化学镀、电镀、真空镀、涂布、印刷中的任一项。

15.一种加热不燃烧装置，其特征在于，包括权利要求1-9任意一项所述的发热元件，所述内层(103)的内侧用于放置发烟材料。