[发明专利]垂直存储器装置

权利要求书

1.一种垂直存储器装置，包括：

基板，其包括第一区域以及至少部分地围绕所述第一区域的第二区域；

在多个水平处的栅电极，所述栅电极在与所述基板的上表面实质上垂直的第一方向上彼此间隔开，所述栅电极中的每一个栅电极在所述第一区域和所述第二区域上在实质上平行于所述上表面的第二方向上延伸，并且所述栅电极在所述第二区域上以阶梯形状堆叠；

沟道，其在所述第一区域上在所述第一方向上延伸，所述沟道延伸穿过所述栅电极；

第一导电结构，其在所述栅电极当中的第一栅电极的端部上，所述端部在所述第二区域上，所述第一栅电极设置在所述多个水平中的最下水平处；以及

第二导电结构，其在所述第二区域上在所述第二方向上与所述第一导电结构间隔开，所述第二导电结构在所述第一方向上不与所述第一栅电极重叠并且设置在与所述第一导电结构的高度不同的高度处。

2.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，其中，所述第二导电结构低于所述第一导电结构。

3.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，其中，所述第二导电结构高于所述第一导电结构。

4.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，还包括在所述第二方向上与所述第一导电结构和所述第二导电结构间隔开的第三导电结构，所述第三导电结构在所述第一方向上不与所述第一栅电极重叠并且设置在与所述第二导电结构的高度不同的高度处。

5.根据权利要求4所述的垂直存储器装置，其中，所述第三导电结构设置在与所述第一导电结构的高度不同的高度处。

6.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，其中，所述第一导电结构高于所述第一栅电极并且低于所述栅电极中的在所述第一方向上最靠近所述第一栅电极的一个栅电极。

7.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，其中，所述第一导电结构和所述第二导电结构包括与所述栅电极的材料实质上相同的材料。

8.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，还包括包含金属氧化物的阻挡图案，所述阻挡图案覆盖所述第一导电结构和所述第二导电结构中的每一者的上表面和下表面和侧壁。

9.根据权利要求8所述的垂直存储器装置，其中，所述阻挡图案覆盖所述栅电极中的每一个栅电极的上表面和下表面和侧壁。

10.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，还包括在所述第二区域上在所述第二方向上与所述第一导电结构间隔开的第一绝缘衬垫，所述第一绝缘衬垫在所述第一方向上不与所述第一栅电极重叠并且设置在与所述第二导电结构的高度实质上相同的高度处。

11.根据权利要求10所述的垂直存储器装置，其中，所述第一绝缘衬垫在所述第二方向上与所述第一栅电极的所述端部间隔开。

12.根据权利要求10所述的垂直存储器装置，其中，所述第一绝缘衬垫包括氮化硅。

13.根据权利要求10所述的垂直存储器装置，其中，所述基板还包括至少部分地围绕所述第二区域的第三区域，并且

其中，所述垂直存储器装置还包括在所述第三区域上在与所述第二导电结构的高度不同的高度处的第二绝缘衬垫。

14.根据权利要求13所述的垂直存储器装置，其中，所述第二绝缘衬垫包括与所述第一绝缘衬垫的材料实质上相同的材料。

15.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，其中，所述第二导电结构设置在所述第二区域上和与所述第二区域相邻的第三区域的一部分上。