[发明专利]垂直存储器装置

说明书

一种垂直存储器装置包括：基板，其包括第一区域和第二区域；栅电极，其在第一方向上彼此间隔开，栅电极中的每一个在第一区域和第二区域上在第二方向上延伸，并且栅电极在第二区域上堆叠；沟道，其在第一区域上在第一方向上延伸，该沟道延伸穿过栅电极；在第一栅电极的端部上的第一导电结构，该端部在第二区域上，该第一栅电极设置在最下水平处；以及在第二区域上在第二方向上与第一导电结构间隔开的第二导电结构，该第二导电结构在第一方向上不与第一栅电极重叠并且设置在与第一导电结构的高度不同的高度处。

相关申请的交叉引用

本申请要求2019年6月4日提交于韩国知识产权局(KIPO)的韩国专利申请No.10-2019-0066135的优先权，其公开内容整体以引用方式并入本文中。

技术领域

本发明构思涉及垂直存储器装置。

背景技术

当制造VNAND闪存装置时，绝缘衬垫可设置在牺牲层的端部，以在栅电极的端部形成用于接触接触插塞的衬垫。在栅极替换工艺期间，绝缘衬垫可由金属替换。金属栅极可导致电短路，因此最终被去除。然而，绝缘衬垫的去除花费时间并且不容易，从而导致VNAND闪存装置的成本增加。

发明内容

根据本发明构思的示例性实施例，提供了一种垂直存储器装置。该垂直存储器装置可包括：基板，其包括第一区域以及至少部分地围绕第一区域的第二区域；在多个水平处的栅电极，所述栅电极在与基板的上表面实质上垂直的第一方向上彼此间隔开，栅电极中的每一个在第一区域和第二区域上在实质上平行于上表面的第二方向上延伸，并且所述栅电极在第二区域上以阶梯形状堆叠；在第一区域上在第一方向上延伸的沟道，该沟道延伸穿过栅电极；在栅电极当中的第一栅电极的端部上的第一导电结构，该端部在第二区域上，第一栅电极设置在所述多个水平当中的最下水平处；以及在第二区域上在第二方向上与第一导电结构间隔开的第二导电结构，该第二导电结构在第一方向上不与第一栅电极重叠并且设置在与第一导电结构的高度不同的高度处。

根据本发明构思的示例性实施例，提供了一种垂直存储器装置。该垂直存储器装置可包括：基板，其包括单元阵列区域、至少部分地围绕单元阵列区域的延伸区域以及至少部分地围绕延伸区域的电路区域；在多个水平处的栅电极，所述栅电极在与基板的上表面实质上垂直的第一方向上彼此间隔开，栅电极中的每一个在基板的单元阵列区域和延伸区域上在与基板的上表面实质上平行的第二方向上延伸，并且所述栅电极在基板的延伸区域上以阶梯形状堆叠；在基板的单元阵列区域上在第一方向上延伸的沟道，该沟道延伸穿过栅电极；在基板的电路区域的一部分上与栅电极当中的第一栅电极在第二方向上的端部间隔开的第一绝缘衬垫，该第一栅电极设置在所述多个水平中的最下水平处，并且该第一绝缘衬垫相对于基板的上表面高于第一栅电极；以及在基板的电路区域上在第二方向上与第一绝缘衬垫间隔开的第二绝缘衬垫，该第二绝缘衬垫在与第一绝缘衬垫的高度不同的高度处，其中，第一绝缘衬垫和第二绝缘衬垫包括实质上相同的材料。

根据本发明构思的示例性实施例，提供了一种垂直存储器装置。该垂直存储器装置可包括：基板，其包括单元阵列区域、至少部分地围绕单元阵列区域的延伸区域以及至少部分地围绕延伸区域的电路区域；在多个水平处的栅电极，所述栅电极在与基板的上表面实质上垂直的第一方向上彼此间隔开，栅电极中的每一个在基板的单元阵列区域和延伸区域上在与基板的上表面实质上平行的第二方向上延伸，并且所述栅电极在基板的延伸区域上以阶梯形状堆叠；在基板的单元阵列区域上在第一方向上延伸的沟道，该沟道延伸穿过栅电极；比栅电极当中的第一栅电极高并且比栅电极中的第二栅电极低的导电结构，该导电结构在第一方向上与第一栅电极的端部重叠，该第一栅电极与基板的上表面相邻；以及在基板的电路区域上在第一方向上延伸的切断图案，该切断图案接触导电结构。