[发明专利]液处理装置和液处理方法在审
申请号: | 202010500958.2 | 申请日: | 2020-06-04 |
公开(公告)号: | CN112071771A | 公开(公告)日: | 2020-12-11 |
发明(设计)人: | 梶原英树;米光祐弥;山中晋一郎;水篠真一;饭田成昭;川上浩平;东徹 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/027 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
本发明提供液处理装置和液处理方法。针对向基板供给涂敷液而形成涂敷膜的液处理装置,获得高生产率且省空间。构成如下装置,其具备:第1喷嘴,其在基板之上的各第1喷出位置向该基板喷出第1处理液,以各基板保持部为单位设置;第2喷嘴,其在各基板之上的第2喷出位置以迟于第1处理液从第1喷嘴的喷出的方式向该基板喷出涂敷膜形成用的第2处理液,被多个基板保持部共用;第3喷嘴,其为了在保持于各基板保持部的基板之上的第3喷出位置向基板喷出第3处理液而以各基板保持部为单位设置;回转机构,其使第1喷嘴于俯视时在第1待机部与第1喷出位置之间回转;以及直动机构,其使第3喷嘴于俯视时在第3待机部与第3喷出位置之间直线移动。
技术领域
本公开涉及一种涂敷装置和涂敷方法。
背景技术
在半导体器件的制造工序中使用涂敷装置,对作为基板的半导体晶圆(以下,记载为晶圆)供给抗蚀剂等涂敷膜形成用的处理液而形成涂敷膜。在专利文献1中记载有一种作为涂敷装置的液处理装置,该作为涂敷装置的液处理装置具备:两个处理单元,其处理晶圆;喷嘴组,其由许多喷嘴构成;温度调整单元,其使喷嘴组待机;以及喷嘴移动机构。上述的喷嘴移动机构在处理单元与温度调整单元之间输送从喷嘴组所选择的一个喷嘴。对于上述的喷嘴移动机构、喷嘴组以及温度调整单元,被两个处理单元共用。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2010-34210号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供一种能够针对向基板供给涂敷液而形成涂敷膜的涂敷装置获得高生产率、且省空间的技术。
用于解决问题的方案
本公开的液处理装置具备:
多个基板保持部,其分别保持基板;
第1喷嘴,其为了在保持于各所述基板保持部的基板之上的第1喷出位置向该基板喷出第1处理液而以各所述基板保持部为单位设置;
第2喷嘴,其相对于所述第1喷嘴独立地移动,在保持于各所述基板保持部的基板之上的第2喷出位置以迟于所述第1处理液的喷出的方式向该基板喷出涂敷膜形成用的第2处理液,该第2喷嘴被所述多个基板保持部共用;
第3喷嘴,其相对于所述第1喷嘴以及所述第2喷嘴独立地移动,为了在保持于各所述基板保持部的基板之上的第3喷出位置于未向所述基板进行所述第1处理液和所述第2处理液的供给时向所述基板喷出第3处理液而以各所述基板保持部为单位设置;
第1待机部、第2待机部和第3待机部,其使所述第1喷嘴、所述第2喷嘴、所述第3喷嘴分别于俯视时在所述基板由各基板保持部保持的保持区域的外侧待机;
回转机构,其使所述第1喷嘴于俯视时在所述第1待机部与所述第1喷出位置之间回转;以及
直动机构,其使所述第3喷嘴于俯视时在所述第3待机部与所述第3喷出位置之间直线移动。
对于上述的液处理装置,也可以是,自所述第1喷嘴对所述基板供给稀释剂作为第1处理液,自所述第2喷嘴对所述基板供给在所述基板上形成膜的处理液作为所述第2处理液。
对于上述的液处理装置,也可以是,所述第3喷嘴向所述基板的周缘部供给所述第3处理液。
对于上述的液处理装置,也可以是,除了所述第1喷出位置和所述第2喷出位置设为在俯视时相互重叠的通用喷出位置的情况的该通用喷出位置之外,所述第1待机部与第1喷出位置之间的所述第1喷嘴在俯视时的第1移动轨迹、所述第2待机部与第2喷出位置之间的所述第2喷嘴在俯视时的第2移动轨迹、以及所述第3待机部与第3喷出位置之间的所述第3喷嘴在俯视时的第3移动轨迹互不重叠。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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