[发明专利]一种OLED器件及其制备方法、双面显示面板在审

专利信息
申请号: 202010501395.9 申请日: 2020-06-04
公开(公告)号: CN111710697A 公开(公告)日: 2020-09-25
发明(设计)人: 袁伟 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56;H01L21/77
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 徐世俊
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 oled 器件 及其 制备 方法 双面 显示 面板
【权利要求书】:

1.一种OLED器件,其特征在于,包括:

第一电极和第二电极,均为透明或半透明电极;

金属结构,设于所述第一电极和第二电极之间,且覆于所述第一电极上;

电子注入层,设于所述金属结构和所述第二电极之间,且覆于所述金属结构上。

2.根据权利要求1所述的OLED器件,其特征在于,

所述金属结构为金属纳米线,其厚度为

3.根据权利要求1所述的OLED器件,其特征在于,

所述金属结构为导电金属层,其为单层结构或多层结构,所述单层结构或多层结构均包括银、铝、铂、铜、钼、钛中的至少一种,其厚度为1.8-2.2nm。

4.根据权利要求1所述的OLED器件,其特征在于,还包括:

量子点发光层,设于所述电子注入层上;

空穴传输层,设于所述量子点发光层上;以及

空穴注入层,设于所述空穴传输层上。

5.根据权利要求4所述的OLED器件,其特征在于,

所述电子注入层的厚度为9.8-10.5nm;

所述量子点发光层的厚度为38-43nm;

所述空穴传输层的厚度为18-25nm;

所述空穴注入层的厚度为12-18nm。

6.一种OLED器件的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

形成一第一电极;

形成一金属结构于所述第一电极上;

形成一电子注入层于所述金属结构上;以及

形成一第二电极于所述电子注入层的上方。

7.根据权利要求6所述的OLED器件的制备方法,其特征在于,

所述形成一金属结构于所述第一电极上的步骤中,

采用喷墨打印的方式在所述第一电极上形成所述金属结构,所述金属结构为金属纳米线;或者,

采用蒸镀的方式在所述第一电极上形成所述金属结构,所述金属结构为导电金属层,其材质包括银、铝、铂、铜、钼、钛中的至少一种。

8.根据权利要求6所述的OLED器件的制备方法,其特征在于,

所述形成一电子注入层于所述金属结构上的步骤之后,还包括如下步骤:

形成一量子点发光层于所述电子注入层上;

形成一空穴传输层于所述量子点发光层上;以及

形成一空穴注入层于所述空穴传输层上;

其中,所述第二电极形成与所述空穴注入层上。

9.一种双面显示面板,包括如权利要求1-4任一项所述的OLED器件。

10.根据权利要求9所述的双面显示面板,其特征在于,还包括:

阵列基板,包括多个薄膜晶体管,所述薄膜晶体管为顶栅结构或者底栅结构,所述OLED器件设于所述阵列基板上;以及

像素定义层,设于所述阵列基板上,且具有多个间隔设置的像素单元,相邻的两个像素单元形成一凹槽,所述OLED器件设于所述凹槽内。

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