[发明专利]一种OLED器件及其制备方法、双面显示面板在审
申请号: | 202010501395.9 | 申请日: | 2020-06-04 |
公开(公告)号: | CN111710697A | 公开(公告)日: | 2020-09-25 |
发明(设计)人: | 袁伟 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 徐世俊 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 器件 及其 制备 方法 双面 显示 面板 | ||
本发明提供一种OLED器件及其制备方法、双面显示面板,包括:第一电极和第二电极,均为透明或半透明电极;金属结构,设于所述第一电极和第二电极之间,且覆于所述第一电极上;电子注入层,设于所述金属结构和所述第二电极之间,且覆于所述金属结构上。本发明的双面显示面板具有双面显示和高色域表现的效果。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种OLED器件及其制备方法、双面显示面板。
背景技术
在商用显示面板方向,双面显示需求在橱窗展示、通讯行业、政府窗口、金融行业、交通行业等窗口服务中有不可或缺的需求,双面显示可以体现服务以“顾客为中心”的人性化,保护顾客的知情权,并且可以有效的提升服务窗口的服务效率,提高服务透明度,收到越来越多的客户青睐。
现有的显示面板一般为单面显示装置,所述单面显示装置的结构可以为底发射结构或者顶发射结构,无法实现一屏双面显示的效果。然而,目前市场上的双面显示器是一种双屏液晶(Liquid Crystal Display,LCD)显示器,并非可以实现一屏两面显示的效果,由于LCD需要使用背光结构,其无法实现透明、双面显示的效果,即无法实现一屏双面显示的效果。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种OLED器件及其制备方法、双面显示面板,以解决现有的显示面板无法实现透明、双面显示的效果技术问题。
为实现上述目的,本发明提供一种OLED器件,包括:第一电极和第二电极,均为透明或半透明电极;金属结构,设于所述第一电极和第二电极之间,且覆于所述第一电极上;电子注入层,设于所述金属结构和所述第二电极之间,且覆于所述金属结构上。
进一步地,所述金属结构为金属纳米线,其厚度为
进一步地,所述金属结构为导电金属层,其为单层结构或多层结构,所述单层结构或多层结构均包括银、铝、铂、铜、钼、钛中的至少一种,其厚度为1.8-2.2nm。
进一步地,所述的OLED器件,还包括:量子点发光层,设于所述电子注入层上;空穴传输层,设于所述量子点发光层上;以及空穴注入层,设于所述空穴传输层上。
进一步地,所述电子注入层的厚度为9.8-10.5nm;所述量子点发光层的厚度为38-43nm;所述空穴传输层的厚度为18-25nm;所述空穴注入层的厚度为12-18nm。
进一步地,一种OLED器件的制备方法,包括如下步骤:形成一第一电极;
形成一金属结构于所述第一电极上;形成一电子注入层于所述金属结构上;以及形成一第二电极于所述电子注入层的上方。
进一步地,所述形成一金属结构于所述第一电极上的步骤中,采用喷墨打印的方式在所述第一电极上形成所述金属结构,所述金属结构为金属纳米线;或者,采用蒸镀的方式在所述第一电极上形成所述金属结构,所述金属结构为导电金属层,其材质包括银、铝、铂、铜、钼、钛中的至少一种。
进一步地,所述形成一电子注入层于所述金属结构上的步骤之后,还包括如下步骤:形成一量子点发光层于所述电子注入层上;形成一空穴传输层于所述量子点发光层上;以及形成一空穴注入层于所述空穴传输层上;其中,所述第二电极形成与所述空穴注入层上。
为实现上述目的,本发明还提供一种双面显示面板,包括如前文所述的OLED器件。
进一步地,所述的双面显示面板,还包括:阵列基板,包括多个薄膜晶体管,所述薄膜晶体管为顶栅结构或者底栅结构,所述OLED器件设于所述阵列基板上;以及像素定义层,设于所述阵列基板上,且具有多个间隔设置的像素单元,相邻的两个像素单元形成一凹槽,所述OLED器件设于所述凹槽内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的