[发明专利]主动元件基板及其制造方法

权利要求书

1.一种主动元件基板，包括：

一基板；

一硅层，位在该基板上；

一第一绝缘层，位在该硅层上；

一第一栅极，位在该第一绝缘层上；

一第一介电层，位在该第一栅极上，其中两个开口至少贯穿该第一介电层，且该两个开口重叠于该硅层；

一第一转接电极以及一第二转接电极，分别位在该两个开口中，其中该第一转接电极以及该第二转接电极分别连接该硅层；

一第二介电层，位在该第一转接电极以及该第二转接电极上，其中两个第一通孔至少贯穿该第二介电层，且该第一转接电极以及该第二转接电极为该两个第一通孔的蚀刻中止层；

一金属氧化物通道层，位于该第二介电层上方；

一第二栅极，重叠于该金属氧化物通道层；以及

一第一源极、一第一漏极、一第二源极以及一第二漏极，其中该第一源极以及该第一漏极位在该两个第一通孔中，且该第一源极以及该第一漏极分别电性连接该第一转接电极以及该第二转接电极，其中该第二源极以及该第二漏极电性连接该金属氧化物通道层。

2.如权利要求1所述的主动元件基板，其中该两个开口贯穿该第一绝缘层，且该第一绝缘层的厚度为10纳米至200纳米。

3.如权利要求1所述的主动元件基板，其中该第一介电层的厚度为10纳米至500纳米。

4.如权利要求1所述的主动元件基板，还包括：

两个保护电极，位在该两个第一通孔中，其中该两个保护电极分别连接该第一转接电极以及该第二转接电极。

5.如权利要求4所述的主动元件基板，其中该两个保护电极与该金属氧化物通道层属于同一膜层。

6.如权利要求1所述的主动元件基板，还包括：

一电容电极，位于该第一绝缘层上，且重叠于该第二转接电极，其中该第二源极通过一第二通孔而电性连接该电容电极，且该第二通孔至少贯穿该第一介电层以及该第二介电层。

7.如权利要求6所述的主动元件基板，其中部分该金属氧化物通道层位于该第二通孔中。

8.如权利要求1所述的主动元件基板，其中该第二栅极位在该金属氧化物通道层与该基板之间。

9.如权利要求1所述的主动元件基板，还包括：

一第三介电层，位于该金属氧化物通道层上，其中该第二栅极位在该金属氧化物通道层与该第三介电层之间。

10.如权利要求1所述的主动元件基板，还包括：

一第三介电层，位于该金属氧化物通道层上，其中两个第三通孔至少贯穿该第三介电层，且该两个第一通孔贯穿该第三介电层，其中该第二源极以及该第二漏极位于该两个第三通孔中。

11.一种主动元件基板的制造方法，包括：

形成一硅层于一基板上；

形成一第一绝缘层于该硅层上；

形成一第一栅极于该第一绝缘层上；

形成一第一介电层于该第一栅极上；

执行一第一蚀刻工艺以形成至少贯穿该第一介电层的两个开口，其中该两个开口暴露出该硅层；

形成一第一转接电极以及一第二转接电极于该两个开口中，以连接该硅层；

形成一第二介电层于该第一转接电极以及该第二转接电极上；

执行一第二蚀刻工艺以形成至少贯穿该第二介电层的两个第一通孔，其中该第一转接电极以及该第二转接电极为该两个第一通孔的蚀刻中止层；

形成一金属氧化物通道层于该第二介电层上方；

形成一第二栅极于该基板上方；

分别形成一第一源极以及一第一漏极于该两个第一通孔中；以及

形成一第二源极以及一第二漏极于该金属氧化物通道层上。