[发明专利]主动元件基板及其制造方法

说明书

一种主动元件基板及其制造方法，主动元件基板包括基板、硅层、第一绝缘层、第一栅极、第一介电层、第一转接电极、第二转接电极以及第二介电层。两个开口贯穿第一介电层并重叠于硅层。第一转接电极以及第二转接电极分别位在两个开口中。第二介电层位在第一转接电极以及第二转接电极上。两个第一通孔贯穿第二介电层。第一转接电极以及第二转接电极为两个第一通孔的蚀刻中止层。

技术领域

本发明涉及一种主动元件基板，且特别涉及一种包括硅层的主动元件基板及其制造方法。

背景技术

显示装置中往往包含了许多的主动元件，为了因应各种不同的功能需求，显示装置中可能含有一种以上的主动元件。举例来说，在显示装置中，为了获得较好的产品性能，位于驱动电路中的主动元件可能与位于像素中的主动元件具有不同的阻抗。

在现有技术中，可以通过调整主动元件的通道层长度或通道层的掺杂浓度以获得不同阻抗的主动元件。然而，仅通过调整主动元件的通道层长度难以满足所有的需求。因此，为了形成性能差异较大的主动元件，往往需要增加许多的工艺步骤，这导致了显示装置的制造成本大幅上升。

发明内容

本发明提供一种主动元件基板，可以改善硅层过度蚀刻的问题。

本发明提供一种主动元件基板的制造方法，可有效改善因过度蚀刻造成桥接不良的问题。

本发明的至少一实施例提供一种主动元件基板。主动元件基板包括基板、硅层、第一绝缘层、第一栅极、第一介电层、第一转接电极、第二转接电极、第二介电层、金属氧化物通道层、第二栅极、第一源极、第一漏极、第二源极以及第二漏极。硅层位在基板上。第一绝缘层位在硅层上。第一栅极位在第一绝缘层上。第一介电层位在第一栅极上。两个开口至少贯穿第一介电层，且两个开口重叠于硅层。第一转接电极以及第二转接电极分别位在两个开口中。第一转接电极以及第二转接电极分别连接硅层。第二介电层位在第一转接电极以及第二转接电极上。两个第一通孔至少贯穿第二介电层。第一转接电极以及第二转接电极为两个第一通孔的蚀刻中止层。金属氧化物通道层位于第二介电层上方。第二栅极重叠于金属氧化物通道层。第一源极以及第一漏极位在两个第一通孔中。第一源极以及第一漏极分别电性连接第一转接电极以及第二转接电极。第二源极以及第二漏极电性连接金属氧化物通道层。

本发明的至少一实施例提供一种主动元件基板的制造方法，包括以下步骤。形成硅层于基板上。形成第一绝缘层于硅层上。形成第一栅极于第一绝缘层上。形成第一介电层于第一栅极上。执行第一蚀刻工艺以形成至少贯穿第一介电层的两个开口。两个开口暴露出硅层。形成第一转接电极以及第二转接电极于两个开口中，以连接硅层。形成第二介电层于第一转接电极以及第二转接电极上。执行第二蚀刻工艺以形成至少贯穿第二介电层的两个第一通孔，其中第一转接电极以及第二转接电极为两个第一通孔的蚀刻中止层。形成金属氧化物通道层于第二介电层上方。形成第二栅极于基板上方。分别形成第一源极以及第一漏极于两个第一通孔中。形成第二源极以及第二漏极于金属氧化物通道层上。

本发明的至少一实施例提供一种主动元件基板的制造方法，包括以下步骤。形成硅层于基板上。形成第一绝缘层于硅层上。形成第一栅极于第一绝缘层上。形成第一介电层于第一栅极上。执行第一蚀刻工艺以形成至少贯穿第一介电层的两个第一通孔。两个第一通孔暴露出硅层。形成氧化物层于第一介电层上方。氧化物层包括两个保护电极以及分离于两个保护电极的金属氧化物通道层。两个保护电极分别填入两个第一通孔且连接硅层。形成第一源极以及第一漏极于两个保护电极上。形成第二源极以及第二漏极于金属氧化物通道层上。

附图说明

图1A至图1G是依照本发明一实施例的一种显示装置的制造方法的剖面示意图。

图2是依照本发明另一实施例的一种显示装置的剖面示意图。

图3是依照本发明又一实施例的一种显示装置的剖面示意图。

图4A至图4E是依照本发明又一实施例的一种显示装置的制造方法的剖面示意图。