[发明专利]半导体设备及其操作方法在审

专利信息
申请号: 202010504657.7 申请日: 2020-06-05
公开(公告)号: CN113759675A 公开(公告)日: 2021-12-07
发明(设计)人: 江平 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: G03F7/30 分类号: G03F7/30
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 杜娟娟
地址: 230000 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 半导体设备 及其 操作方法
【权利要求书】:

1.一种半导体设备,其特征在于,包括:

至少两个处理单元,各所述处理单元内均设有用于放置待处理晶圆的承载盘;

处理液喷涂手臂,位于所述处理单元上方,可在相邻所述处理单元之间移动,以向各所述处理单元内的所述待处理晶圆表面喷涂处理液;

固定挡板,位于相邻所述处理单元之间,所述固定挡板上设有开口,所述开口将相邻所述处理单元相连通;所述处理液喷涂手臂经由所述开口在相邻所述处理单元之间移动;

移动挡板,至少位于所述固定挡板一侧;

第一驱动装置,与所述移动挡板相连接,用于在所述处理液喷涂手臂停止于所述处理单元内时驱动所述移动挡板移动完全遮挡所述开口,以将相邻所述处理单元隔离,并用于在所述处理液喷涂手臂在相邻所述处理单元之间移动时驱动所述移动挡板移动以打开所述开口。

2.根据权利要求1所述的半导体设备,其特征在于,所述第一驱动装置包括:

气缸,包括缸体及驱动杆;所述缸体内设有容纳腔;所述驱动杆一端位于所述容纳腔内,另一端与所述移动挡板相连接;

气体管路,一端与所述容纳腔相连接,另一端与气体源相连接;

电磁阀,位于所述气体管路上,用于控制所述气体管路的通断。

3.根据权利要求1所述的半导体设备,其特征在于,所述半导体设备还包括第二驱动装置,所述第二驱动装置与所述处理液喷涂手臂相连接,用于驱动所述处理液喷涂手臂移动。

4.根据权利要求3所述的半导体设备,其特征在于,所述半导体设备还包括控制装置,所述控制装置与所述处理液喷涂手臂及所述移动挡板相连接,用于在控制所述第二驱动装置驱动所述处理液喷涂手臂在相邻所述处理单元之间移动时控制所述第一驱动装置驱动所述移动挡板移动以打开所述开口,并在所述处理液喷涂手臂移动至目标的所述处理单元后控制所述第一驱动装置驱动所述移动挡板移动以完全遮挡所述开口。

5.根据权利要求1所述的半导体设备,其特征在于,所述固定挡板及所述移动挡板均为金属挡板。

6.根据权利要求1所述的半导体设备,其特征在于,所述移动挡板至少位于所述固定挡板一侧时,所述移动挡板与所述固定挡板之间具有间距。

7.根据权利要求6所述的半导体设备,其特征在于,所述移动挡板与所述固定挡板之间的间距为0.5mm~2mm。

8.根据权利要求1所述的半导体设备,其特征在于,所述半导体设备还包括机台腔室,所述处理单元、所述处理液喷涂手臂、所述固定挡板及所述移动挡板均位于所述机台腔室内,所述固定挡板与所述机台腔室通过固定螺丝固定连接。

9.一种如权利要求1至8中任一项所述的半导体设备的操作方法,其特征在于,包括以下步骤:

所述处理液喷涂手臂自一所述处理单元向相邻的另一放置有待处理晶圆的所述处理单元移动的同时驱动所述移动挡板移动以打开所述开口;

所述处理液喷涂手臂移动至放置有所述待处理晶圆的所述处理单元后,驱动所述移动挡板移动至完全遮挡所述开口。

10.根据权利要求9所述的操作方法,其特征在于,所述处理液喷涂手臂自一所述处理单元向相邻的另一放置有待处理晶圆的所述处理单元移动之前还包括使用所述处理液喷涂手臂向位于其下方的所述待处理晶圆的表面喷涂所述处理液的步骤;

驱动所述移动挡板移动至完全遮挡所述开口之后还包括使用所述处理液喷涂手臂向位于其下方的所述待处理晶圆的表面喷涂所述处理液的步骤;

驱动所述移动挡板移动至完全遮挡所述开口之后且使用所述处理液喷涂手臂向位于其下方的所述待处理晶圆的表面喷涂所述处理液之后,还包括重复上述步骤至少一次的步骤。

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