[发明专利]一种半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202010506035.8 | 申请日： | 2020-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN111627810B | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 许春龙;李庆民;杨宗凯 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/322;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 林凡燕 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：
提供一半导体衬底；
依次形成氧化层和牺牲层于所述半导体衬底上，其中，所述氧化层的厚度为第一厚度；
形成多个沟槽于所述半导体衬底上，所述沟槽从所述牺牲层延伸至所述半导体衬底中；
形成隔离介质层于所述多个沟槽及所述牺牲层上，并移除位于所述牺牲层上的所述隔离介质层；
去除所述牺牲层，所以形成多个隔离结构，所述隔离结构包括位于所述沟槽中的填充部和从所述填充部突出的凸起部，其中所述填充部位于所述半导体衬底与所述氧化层中，所述凸起部凸出于所述氧化层；
形成阱区于所述半导体衬底中；
通过刻蚀工艺对所述氧化层进行处理，以使所述氧化层的厚度等于第二厚度，所述第一厚度大于所述第二厚度；
形成多晶硅栅极于刻蚀后的所述氧化层上。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一厚度为450-500埃，所述牺牲层的厚度为1400-1600埃。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述沟槽的深度为2000-9000埃。
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述阱区之前，还包括移除所述牺牲层。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述阱区包括第一阱区和第二阱区。
6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述第一阱区的深度为1.4-1.6微米，所述第二阱区的深度为1.4-1.6微米。
7.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述隔离结构位于所述第一阱区和所述第二阱区之间。
8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，使用稀氢氟酸溶液刻蚀所述氧化层，所述稀氢氟酸溶液中氢氟酸与去离子水的比例为1:300-1:400，刻蚀时间为300-400秒。
9.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第二厚度为380-400埃。
10.一种根据权利要求1-9任一所述的制造方法形成的半导体结构，其特征在于，包括：
半导体衬底；
氧化层，位于所述半导体衬底上；
多个隔离结构，位于所述半导体衬底中，且所述隔离结构包括填充部和凸起部，其中所述填充部位于所述半导体衬底与所述氧化层中，所述凸起部凸出于所述氧化层，所述隔离结构的顶面高于所述半导体衬底的表面；
第一阱区，位于所述半导体衬底中；
第二阱区，位于所述半导体衬底中，其中，所述多个隔离结构位于所述第一阱区和所述第二阱区之间；
栅极结构，位于所述氧化层上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
